【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
硅或锗硅双极晶体管的输出输入电容能形成内部反馈，它使输出端的信号经输出输入电容又反向传输到输入端。若作为负载的并联谐振回路正好调谐在信号频率上，则回路的等效阻抗呈电阻性，这时输出和输入电压正好反相，通过输出输入电容的反馈是负反馈，使放大器增益下降。但是，当信号频率小于回路谐振频率时，电路负载阻抗呈电感性，那么通过输出输入电容反馈到输入端的反馈信号有可能和输入信号同相位，从而使有效输入信号增加，当增益较大以至达到满足振荡条件时，就会产生自激振荡。当放大器工作接近自激振荡时，它的性能将急速变坏。即，输出输入电容对于器件的高频性能影响很大，是限制速度造成传输延迟的主要因素。对于共发射极连接，输出输入电容为集电极-基极电容，对于共集电极连接，输出输入电容为发射极-基极电容。
技术实现思路
为了克服上述的缺陷，本专利技术提供一种能够有效降低输出输入电容的。为达到上述目的，一方面，本专利技术提供一种具有电极屏蔽结构的异质结双极晶体管，所述晶体管包括衬底，位于衬底上的埋层，位于埋层上的外延层和集电极引出区，位于外延层上的场氧层和本征基区，位于集电极...
【技术保护点】
一种具有电极屏蔽结构的异质结双极晶体管，所述晶体管包括衬底，位于衬底上的埋层，位于埋层上的外延层和集电极引出区，位于外延层上的场氧层和本征基区，位于集电极引出区上的集电极多晶硅引出部，位于集电极多晶硅引出部上的集电极，位于场氧层上的外基区多晶硅引出部，位于本征基区上的发射极多晶硅引出部，位于外基区多晶硅引出部上的基极，以及位于发射极多晶硅引出部上的发射极；其特征在于，在集电极与基极之间、或发射极与基极之间设置由导电材料制成的导电屏蔽层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：赵悦，付军，王玉东，崔杰，张伟，刘志弘，李高庆，许平，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：
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