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本发明公开一种具有电极屏蔽结构的异质结双极晶体管及其制备方法，为解决现有产品输出输入电容大的缺陷而设计。本发明具有电极屏蔽结构的异质结双极晶体管包括衬底、埋层、外延层、集电极引出区、场氧层、本征基区、集电极多晶硅引出部、集电极、外基区多晶硅...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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