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低电阻多晶连接基区全自对准双极晶体管及其制备方法技术
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文档序号:8490861
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本发明公开一种低电阻多晶连接基区全自对准双极晶体管及其制备方法,为解决现有产品及方法不能有效减小基极电阻RB的缺点而发明。本发明低电阻多晶连接基区全自对准双极晶体管包括衬底、硅埋层集电区、硅外延层、硅集电极引出区、场区介质层、选择注入集电区...
该专利属于清华大学所有,仅供学习研究参考,未经过清华大学授权不得商用。
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