侧向双极晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种侧向双极晶体管及其制备方法，为解决现有器件中收集区面积过大的缺陷而设计。本发明专利技术侧向双极晶体管包括发射区、本征基区、收集区、发射极介质层、外基区、基区介质层和衬底介质层。衬底介质层环绕发射区并延伸进入发射区。本征基区位于基区介质层的下方，且位于衬底介质层的上方。收集区位于衬底介质层的上方。本发明专利技术侧向双极晶体管的制备方法实现了本发明专利技术侧向双极晶体管。本发明专利技术侧向双极晶体管有效地减小了收集区的面积，降低了器件的收集区寄生电容，有助于减少辐照对于器件的影响。本发明专利技术侧向双极晶体管的制备方法工艺步骤简明，对设备等技术条件要求低，适于大规模的产线生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
双极晶体管是由两个背靠背PN结构成，是具有电流放大作用的晶体三极管，主要包括基区、发射区和收集区。常规结构双极晶体管的收集区面积大，导致器件的收集区寄生电容大，影响器件的性能。同时，收集区面积大也会增大辐照对于器件的影响，进一步损害器件的性能
技术实现思路
为了克服上述的缺陷，本专利技术提供一种收集区面积更小的。为达到上述目的，一方面，本专利技术提供一种侧向双极晶体管，所述晶体管包括第一导电类型的发射区，位于所述发射区侧面的本征基区，位于所述本征基区侧面的收集区，位于所述发射区上方的发射极介质层，位于所述发射极介质层上方的外基区，位于外基区上方的基区介质层，位于衬底上方的衬底介质层；所述衬底介质层环绕所述发射区并延伸进入发射区；所述本征基区位于基区介质层的下方，且位于衬底介质层的上方；所述收集区位于衬底介质层的上方。特别是，所述本征基区的材料为硅、锗硅、锗硅碳或上述三者的组合物。特别是，所述衬底介质层的材料为氧化硅。另一方面，本专利技术提供一种侧向双极晶体管的制备方法，所述方法包括下述步骤4.1用第一导电类型杂质掺杂衬底，在衬底上依次淀积重掺杂硅层、氧本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种侧向双极晶体管，其特征在于，所述晶体管包括第一导电类型的发射区，位于所述发射区侧面的本征基区，位于所述本征基区侧面的收集区，位于所述发射区上方的发射极介质层，位于所述发射极介质层上方的外基区，位于外基区上方的基区介质层，位于衬底上方的衬底介质层；所述衬底介质层环绕所述发射区并延伸进入发射区；所述本征基区位于基区介质层的下方，且位于衬底介质层的上方；所述收集区位于衬底介质层的上方。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王玉东，付军，崔杰，赵悦，张伟，刘志弘，吴正立，李高庆，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
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