去除超级结高压器件外延沉积过程中产生的硅脊的方法技术

本发明专利技术公开了一种去除超级结高压器件外延沉积过程中产生的硅脊的方法，包括如下步骤：1)在硅片表面淀积一层氧化膜和/或氮化膜；2)在硅片上刻蚀一个深沟槽；3)以单晶硅或多晶硅填充所述深沟槽；4)采用化学机械研磨工艺对硅片表面进行平坦化处理，以所述氧化膜和/或氮化膜作为研磨阻挡层；5)采用刻蚀工艺将深沟槽两侧的氧化膜和/或氮化膜部分回刻，以使硅脊露出；6)采用刻蚀工艺将此硅脊刻蚀去除。本发明专利技术能达到去除在外延过程中由于引入刻蚀性气体而在氧化层中所造成的底部切口中的单晶硅的目的，为后续的栅极多晶硅和栅极氧化层沉积提供了良好的表面形貌，从而可避免硅脊对后续的工艺产生影响，避免影响器件的某些电学性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体集成电路制造工艺，尤其涉及一种超级结高压器件结构的制备工艺，具体涉及一种。
技术介绍
在现今的半导体技术中，深沟槽结构应用较为广泛。如作为隔绝结构以隔绝不同操作电压的电子器件，及应用于超级结结构半导体器件中作为P-N结通过耗尽态的电荷平衡达到高击穿电压性能等。对于后者超级结金属氧化物半导体场效应晶体管，通常超级结 MOS晶体管制造过程中刻蚀和填充深沟槽的方法是在η+型硅衬底上生长一层η-型外延层(单晶硅)，然后在该外延层上刻蚀深沟槽，然后再用P型单晶硅填充该深沟槽，最后用化学机械研磨(CMP)工艺进行表面平坦化。此时该深沟槽结构作为P型半导体柱，该深沟槽结构的两侧作为η型半导体柱，即得到了纵向交替排列的P型和η型半导体柱。该方法中将η型硅与P型硅交换，效果不变。上述方法中，是在硅材料中刻蚀深沟槽，深沟槽中填充的也是硅材料，这便使CMP 工艺无法区分沟槽内外结构，有可能直接研磨到硅衬底，从而影响器件的某些电学性能。与此类似地，当在某种半导体材料中刻蚀深沟槽，随后又采用相同的半导体材料填充该深沟槽，再用CMP工艺对硅片表面进行平坦化处理时，都会出现无法控制CMP工艺本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种去除超级结高压器件外延沉积过程中产生的硅脊的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)在硅片表面淀积一层氧化膜和/或氮化膜；2)在硅片上刻蚀一个深沟槽；3)以单晶硅或多晶硅填充所述深沟槽；4)采用化学机械研磨工艺对硅片表面进行平坦化处理，以所述氧化膜和/或氮化膜作为研磨阻挡层；5)采用刻蚀工艺将深沟槽两侧的氧化膜和/或氮化膜部分回刻，以使硅脊露出；6)采用刻蚀工艺将此硅脊刻蚀去除。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：钱志刚，程晓华，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：