【技术实现步骤摘要】
形成非平面晶体管的方法
本专利技术涉及一种制作非平面晶体管结构的方法,特别是涉及一种能同时形成非平面晶体管以及平面晶体管的方法。
技术介绍
近年来,随着各种消费性电子产品不断的朝小型化发展,半导体元件设计的尺寸亦不断缩小,以符合高集成度、高效能和低耗电的潮流以及产品需求。然而,随着电子产品的小型化发展,现有的平面晶体管(planartransistor)已经无法满足产品的需求。因此,目前发展出一种非平面晶体管(non-planar)的鳍状晶体管(Fin-FET)技术,其具有立体的栅极沟道(channel)结构,可有效减少基底的漏电、降低短沟道效应,并具有较高的驱动电流。但由于鳍状晶体管是属于立体的结构,较传统结构复杂,制造难度也偏高,一般通常是在硅绝缘(silicon-on-insulator,SOI)基底上形成,若要相容于现有的硅基底工艺则有一定的难度。并且,由于鳍状晶体管的制法较为特殊,因和现有的平面晶体管整合时,也会遇到一定的问题。
技术实现思路
本专利技术于是提供一种同时形成非平面晶体管以及平面晶体管的方法。根据实施例,本专利技术提供一种形成非平面晶体管的方法 ...
【技术保护点】
一种形成非平面晶体管的方法,包括:提供基底,该基底上定义有有源区以及周边区;于该基底的该有源区中形成多个超浅沟槽隔离;移除各超浅沟槽隔离的部分,以使各超浅沟槽隔离间暴露出的该基底构成多个鳍状结构;于该基底上的该有源区以及该周边区上形成导电层,并覆盖各鳍状结构;图案化该导电层,使得该导电层在该周边区中形成平面晶体管的栅极,而同时于该有源区中形成至少一非平面晶体管的栅极;以及于该非平面晶体管的该栅极两侧的该鳍状结构中形成源极/漏极。
【技术特征摘要】
1.一种形成非平面晶体管的方法,包括:提供基底,该基底上定义有有源区、包围该有源区的隔离区,以及周边区,该有源区是用来产生非平面晶体管的区域,且该周边区是用来产生平面晶体管的区域;在该基底上形成掩模层;图案化该掩模层,以在该隔离区中形成第一图案化掩模层;以该第一图案化掩模层为掩模蚀刻该基底,以在该隔离区中形成第一沟槽,并在该第一沟槽中填入第一绝缘层以形成浅沟槽隔离;图案化该掩模层,以在该有源区中形成第二图案化掩模层;以该第二图案化掩模层为掩模蚀刻该基底,以在该有源区中形成至少一第二沟槽,并在该第二沟槽中填入第二绝缘层以形成超浅沟槽隔离,该超浅沟槽隔离的深度小于该浅沟槽隔离的深度;移除各超浅沟槽隔离的部分,以使各超浅沟槽隔离间暴露出的该基底构成多个鳍状结构;于该基底上的该有源区以及该周边区上形成导电层,并覆盖各鳍状结构;图案化该导电层,使得该导电层在该周边区中形成平面晶体管的栅极,而同时于该有源区中形成至少一非平面晶体管的栅极;以及于该非平面晶体管的该栅极两侧的该鳍状结...
【专利技术属性】
技术研发人员:戴圣辉,黄瑞民,蔡振华,蔡世鸿,林建廷,
申请(专利权)人:联华电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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