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本发明公开了一种去除超级结高压器件外延沉积过程中产生的硅脊的方法，包括如下步骤：1)在硅片表面淀积一层氧化膜和/或氮化膜；2)在硅片上刻蚀一个深沟槽；3)以单晶硅或多晶硅填充所述深沟槽；4)采用化学机械研磨工艺对硅片表面进行平坦化处理，以所...该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种去除超级结高压器件外延沉积过程中产生的硅脊的方法，包括如下步骤：1)在硅片表面淀积一层氧化膜和/或氮化膜；2)在硅片上刻蚀一个深沟槽；3)以单晶硅或多晶硅填充所述深沟槽；4)采用化学机械研磨工艺对硅片表面进行平坦化处理，以所...