一种单晶炉制造技术

本发明专利技术提供了一种单晶炉，包括炉体，位于炉体底部的护盘压片；位于护盘压片上的第一辅助电极通孔下方的第一辅助电极，位于护盘压片上的第二辅助电极通孔下方的第二辅助电极；设置在护盘压片表面的检测线，其两端分别于第一辅助电极和第二辅助电极连接，且其与护盘压片绝缘；检测电路，包括检测线支路，其包括连接第一辅助电极的第一连接端和连接第二辅助电极的第二连接端；报警支路，其在检测线断路时发出报警信号。本发明专利技术所提供的单晶炉，在护盘压片上设置检测线，使检测线的两端连接检测电路，当硅液流到护盘压片上使检测线熔断时，检测电路发出报警信号，实现了对硅液溢流事故的及时检测，提高了生产的安全性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及单晶硅生产设备
，更具体地说，涉及一种单晶炉。
技术介绍
目前产业化的太阳能电池中发展最迅速，影响最大的是晶体硅太阳能电池，其中，单晶硅太阳能电池以其较高的光电转换效率受到广泛关注。单晶硅是生产单晶硅太阳能电池的基础原料，而单晶硅必须利用硅原料经过一系列的工艺方法生产得到。 单晶炉是利用直拉法生产单晶硅的重要设备，包括炉体及设置在炉体底部的护盘压片。其中，护盘压片中间设置有坩埚托杆通孔，坩埚托杆穿过该坩埚托杆通孔支撑位于护盘压片上方的坩埚；护盘压片上还设置有四个电极通孔，单晶炉的两个主电极以及两个辅助电极分别穿过这四个电极通孔。单晶炉在运行时，石墨坩埚可能会出现意外破裂，发生硅液溢流事故。硅液溢流会对单晶炉内部结构造成腐蚀污染，严重时会导致单晶炉爆炸。但是，常规的单晶炉不能及时的检测出硅液溢流事故的发生，安全性较低。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供一种单晶炉，能够及时的检测出硅液溢流事故的发生，从而可以快速对硅液溢流事故进行处理，提高了生产安全性。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案本专利技术提供了一种单晶炉，包括炉体，位于所述炉体底部的护盘压片；位于所述护盘压片上的第一辅助电极通孔和第二辅助电极通孔，位于所述第一辅助电极通孔下方的第一辅助电极，位于所述第二辅助电极通孔下方的第二辅助电极；设置在所述护盘压片表面的检测线，所述检测线的一端通过所述第一辅助电极通孔与所述第一辅助电极连接，所述检测线的另一端通过所述第二辅助电极通孔与所述第二辅助电极连接，且所述检测线与所述护盘压片绝缘；位于所述炉体外的检测电路，所述检测电路包括检测线支路，所述检测线支路包括第一连接端和第二连接端，所述第一连接端连接所述第一辅助电极，所述第二连接端连接所述第二辅助电极；与所述检测线支路并联的报警支路，所述报警支路在所述检测线断路时发出报警信号。优选的，所述单晶炉还包括穿过所述第一辅助电极通孔的第一支撑部，所述第一辅助电极通过第一支撑部支撑所述单晶炉的加热器；穿过所述第二辅助电极通孔的第二支撑部，所述第二辅助电极通过第二支撑部支撑所述单晶炉的加热器；贯穿所述第一支撑部的第一固定部，所述第一固定部的一端与所述第一辅助电极固定连接，另一端与所述单晶炉的加热器固定连接；贯穿所述第二支撑部的第二固定部，所述第二固定部的一端与所述第二辅助电极固定连接，另一端与所述单晶炉的加热器固定连接；所述检测线与所述第一支撑部、第二支撑部、第一固定部和第二固定部绝缘。优选的，所述护盘压片、第一支撑部、第二支撑部、第一固定部和第二固定部的材料为石英。优选的，所述报警支路包括报警器和继电器常闭触点，所述继电器常闭触点在所述检测线断路时闭合，所述报警器在所述继电器常闭触点闭合时发出报警信号。优选的，所述检测电路还包括运行正常指示支路，所述运行正常指示支路包括运 行正常指示装置和继电器常开触点，所述继电器常开触点在所述检测线通路时闭合，所述运行正常指示装置在所述继电器常开触点闭合时发出运行正常指示信号； 所述检测线支路还包括继电器线圈。从上述技术方案可以看出，本专利技术较现有技术至少具有以下优点本专利技术所提供的单晶炉，在护盘压片上设置检测线，并使检测线与护盘压片绝缘，检测线的两端通过两个辅助电极连接炉体外部的检测电路，当单晶炉发生硅液溢流时，硅液流到护盘压片上，使检测线熔断，检测电路发出报警信号，从而实现了对硅液溢流事故的及时检测，使硅液溢流事故能够得到及时快速的处理，提高了生产的安全性。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例所提供的单晶炉的部分结构的剖面图；图2为本专利技术实施例所提供的单晶炉的检测线在护盘压片上的分布图；图3为本专利技术实施例所提供的单晶炉的检测电路图。具体实施例方式正如
技术介绍
所述，常规的单晶炉并不能对硅液溢流事故进行及时的检测，造成生产的安全性降低。专利技术人经研究发现，产生这种现象的原因主要是单晶炉内的最外层坩埚为石墨材质，石墨在高温下会与硅发生反应，单晶炉在运行过程中，炉内温度较高，使部分硅汽化为硅蒸汽，导致硅蒸汽与坩埚中的石墨发生反应，所以坩埚在长时间使用后，可能会出现破裂，从而发生硅液溢流事故。石墨坩埚破裂后会直接导致位于其内部的石英坩埚破裂，硅液从石英坩埚中流出，沿坩埚托杆流下，滴落在护盘压片上，浸透护盘压片，烫坏单晶炉不锈钢炉底，由于单晶炉炉底为双层水冷不锈钢结构，其内部充满了冷却水，溢流的硅液烫坏炉底后，其内部的冷却水溢出，在炉内高温的情况下，冷却水将迅速汽化，从而引发单晶炉爆炸。由此可见，硅液溢流事故如果不能及时的发现并进行处理，会导致生产的安全性降低。基于此，本专利技术提供一种单晶炉，包括炉体，位于所述炉体底部的护盘压片；位于所述护盘压片上的第一辅助电极通孔和第二辅助电极通孔，位于所述第一辅助电极通孔下方的第一辅助电极，位于所述第二辅助电极通孔下方的第二辅助电极；设置在所述护盘压片表面的检测线，所述检测线的一端通过所述第一辅助电极通孔与所述第一辅助电极连接，所述检测线的另一端通过所述第二辅助电极通孔与所述第二辅助电极连接，且所述检测线与所述护盘压片绝缘；位于所述炉体外的检测电路，所述检测电路包括检测线支路，所述检测线支路包括第一连接端和第二连接端，所述第一连接端连接所述第一辅助电极，所述第二连接端连接所述第二辅助电极；与所述检测线支路并联的报警支路，所述报警支路在所述检测线断路时发出报警信号。本专利技术所提供的单晶炉，在护盘压片上设置检测线，并使检测线与护盘压片绝缘， 检测线的两端通过两个辅助电极连接炉体外部的检测电路。当单晶炉发生硅液溢流时，硅液流到护盘压片上，使检测线熔断，检测电路发出报警信号。可见，本专利技术所提供的单晶炉可在溢流的硅液流至护盘压片后及时检测到硅液溢流事故的发生，并发出硅液溢流警报，进而可以使硅液溢流事故得到及时有效的处理，提高了生产的安全性。以上是本专利技术的核心思想，为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术，但是本专利技术还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似推广，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。其次，本专利技术结合示意图进行详细描述，在详述本专利技术实施例时，为便于说明，表示装置结构的附图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本专利技术保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及高度的三维空间尺寸。本专利技术实施例提供了一种单晶炉，所述单晶炉能够实现对硅液溢流事故的及时检测，生产安全性高。结合图1-图3对所述单晶炉结构进行说明。其中，图1为本专利技术实施例所提供的单晶炉的部分结构的剖面图，图2为本专利技术实施例所提供的单晶炉的检测线在护盘压片上的分布图，图3为本专利技术实施例所提供的单晶炉的检测电路图。所述单晶炉包括炉体；位于炉体底部的护盘压片102 ;位于护盘压片102上的第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单晶炉，其特征在于，包括：炉体，位于所述炉体底部的护盘压片；位于所述护盘压片上的第一辅助电极通孔和第二辅助电极通孔，位于所述第一辅助电极通孔下方的第一辅助电极，位于所述第二辅助电极通孔下方的第二辅助电极；设置在所述护盘压片表面的检测线，所述检测线的一端通过所述第一辅助电极通孔与所述第一辅助电极连接，所述检测线的另一端通过所述第二辅助电极通孔与所述第二辅助电极连接，且所述检测线与所述护盘压片绝缘；位于所述炉体外的检测电路，所述检测电路包括：检测线支路，所述检测线支路包括第一连接端和第二连接端，所述第一连接端连接所述第一辅助电极，所述第二连接端连接所述第二辅助电极；与所述检测线支路并联的报警支路，所述报警支路在所述检测线断路时发出报警信号。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：白剑铭，
申请(专利权)人：英利能源中国有限公司，
类型：发明
国别省市：