【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种连续加料娃单晶炉。
技术介绍
硅单晶被广泛用于半导体和光伏行业。硅单晶棒的生产流程如下将盛有硅原料的石英坩埚放置在硅单晶提拉生长炉中；生长炉抽真空，并加热至硅原料融化；在合适的温度下，将籽晶从上面慢慢靠近熔体液面，并与其接触；籽晶按工艺要求逐渐上拉。通过控制籽晶拉速和温度，晶棒从液面上逐渐拉出。 在硅单晶生产过程中，一般会在硅原料中加入一定量的其它元素，称为掺杂，这些元素可以是硼，磷或锑等。不同的掺杂元素有自己的特定分凝系数。所谓的分凝系数就是，掺杂元素可以在熔体中全部均匀溶解，形成一定的浓度。但是在晶体结晶过程中掺杂元素并不是按这个浓度进入晶体，而是部分浓度进入。掺杂元素在固体中的浓度P S与在熔体中的浓度P L比值既为分凝系数K K= P S/ P L一般情况下，这个系数是恒定值。表明如果熔体中掺杂浓度高，晶体中的掺杂浓度按比例相对就高。反之，就低。如果某个元素的分凝系数很低，那么在晶体生长开始时，当一部分体积的熔体凝固时，这部分体积中的掺杂元素只有很小部分(浓度很低)，而大部分留在剩余熔体中。随着晶体不断凝固，剩余熔体中的浓度将不断提高。...
【技术保护点】
一种连续加料硅单晶炉，包括提拉装置、加料装置、石英坩埚、石墨坩埚、石墨加热器，其特征在于：所述石英坩埚分为内坩埚和外坩埚，内、外坩埚底部相连并有一个相通的孔洞，所述内、外坩埚之间留有加料空隙。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：惠梦君，
申请(专利权)人：无锡市蓝德光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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