一种直拉单晶法的冷却工艺制造技术

一种直拉单晶法的冷却工艺，即在冷却时，停止向炉体内通入冷却气体，与此同时，关闭真空泵，这样，就形成了一个密闭的空间，炉体内的气体作为介质就可以把更多的热传给炉壁流动的水，冷却效率更高。本发明专利技术在保证直拉单晶硅棒质量、成晶率以及生产周期的前提下，不仅使直拉法冷却工艺更加高效明显，还大大降低了冷却气体的使用量，从而较大程度上降低直拉法的生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种直拉单晶法的冷却工艺，属太阳能光伏领域。
技术介绍
全球所生广的太阳能电池有80%以上是使用晶体娃,其中单晶娃约占40%,单晶娃最大的优势就是其转换效率高，但是生产成本较高，因此，怎样在保证硅片质量的前提下， 降低生产成本成为了业界共同努力和关于的方向。正常情况下直拉单晶法的冷却工艺是在通入冷却气体(一般为氩气)的环境下进行的，由于整个系统处于开启状态，通入的氩气在炉体内停留时间较短，最终带走的热量为全部热量的80%—85%，冷却效果一般且冷却气体成本大。
技术实现思路
本专利技术目的是提供一种直拉单晶法的冷却工艺，即在冷却时，停止向炉体内通入冷却气体,与此同时,关闭真空泵,这样,就形成了一个密闭的空间,炉体内的气体作为介质就可以把更多的热传给炉壁流动的水，冷却效率更高。一种直拉单晶法的冷却工艺，是在冷却阶段进行O. 8-1. 2h后，炉内温度降到 1220-1280°C，压力在30-34Pa时，停止向炉内通入氩气，并关闭真空泵，炉内形成一个保压的状态，压力为50-56Pa，维持4. 2-4. 8h，直至整个直拉法单晶制备工艺结束。本专利技术在保证直拉单晶硅棒质量、成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种直拉单晶法的冷却工艺，其特征在于：在冷却阶段进行0.8?1.2h后，炉内温度降到1220?1280℃，压力在30?34Pa时，停止向炉内通入氩气，并关闭真空泵，炉内形成一个保压的状态，压力为50?56Pa，维持4.2?4.8h，直至整个直拉法单晶制备工艺结束。

【技术特征摘要】
1.一种直拉单晶法的冷却工艺，其特征在于在冷却阶段进行0.8-1. 2h后，炉内温度降到1220-1280°C，压力在30-34Pa时，停止向炉内通入氩气，并关闭真空泵，炉内形成一个保压的状态，压力为50-56Pa，维持4. 2-4. 8h，直至整个直拉法单晶制...

【专利技术属性】
技术研发人员：周慧敏，高俊伟，汪奇，徐志群，
申请(专利权)人：晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：