新型单晶炉热场、拉制轻掺硅单晶棒的新型单晶炉热场制造技术

本实用新型专利技术公开了一种新型单晶炉热场、拉制轻掺硅单晶棒的新型单晶炉热场，包括导流筒；其特征在于，所述导流筒表面设置有碳化硅涂层。本实用新型专利技术中的新型单晶炉热场，由于采用设置碳化硅涂层的导流筒，可降低硅单晶棒生产能耗，可降低5%以上。使用本实用新型专利技术中的新型单晶炉热场，拉制的N型轻掺硅单晶的OISF可降低到100个/cm2以下。本实用新型专利技术中的新型单晶炉热场，能有效改善硅单晶棒中的Fe含量，平均值为1.80E+10atoms/cm3，最大值6.91E+10atoms/cm3。扩散长度达到450.2μm。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种新型单晶炉热场、拉制轻掺硅单晶的新型单晶炉热场及可减少N型轻掺硅单晶OISF的新型单晶炉热场。
技术介绍
随着半导体市场竞争的日趋激烈，降低能耗、节省成本、提升良率成为技术发展的核心。节能降耗已成为国家近几年的规划目标。目前单晶硅生产过程中的主要用电负载为单晶炉。单晶炉的耗电量占总用电量的45%，耗电量大是单晶生长的一个大问题，如何能在确保单晶产量的前提下，达到节能降耗的目标是一个急需解决的问题。除降低生产能耗外，提高产品质量也是单晶硅生产中的需要考虑的重要因素。衡量硅单晶棒质量的其中两个重要指标，一是0ISF，即氧化层错；二是金属杂质含量，尤其是 铁含量，铁含量采用每立方厘米的铁原子个数衡量。这两个指标值越小，表示硅单晶棒质量越闻。
技术实现思路
本技术的目的之一是为了克服现有技术中的不足，提供一种可提高硅单晶棒质量的新型单晶炉热场。为实现以上目的，本技术通过以下技术方案实现新型单晶炉热场，包括导流筒；其特征在于，所述导流筒表面设置有碳化硅涂层。优选地是，所述导流筒包括相互连接的内导流筒和外导流筒；内导流筒设置在外导流筒内，内导流筒与外导流筒之间具有间隙，所述间隙内设置有保本文档来自技高网...

【技术保护点】
新型单晶炉热场，包括导流筒；其特征在于，所述导流筒表面设置有碳化硅涂层。

【技术特征摘要】
1.新型单晶炉热场，包括导流筒；其特征在于，所述导流筒表面设置有碳化硅涂层。2.根据权利要求I所述的新型单晶炉热场，其特征在于，所述导流筒包括相互连接的内导流筒和外导流筒；内导流筒设置在外导流筒内，内导流筒与外导流筒之间具有间隙，所述间隙内设置有保温材料。3.根据权利要求I所述的新型单晶炉热场，其特征在于，还包括保温筒，保温筒内设置有加热器，加热器围绕石墨坩埚设置，石墨坩埚内设置有石英坩埚；所述导流筒设置于石英坩埚上方。4.拉制轻掺硅单晶棒的新型单晶炉热场，其特征在于，包括导流筒，所述导流筒表面设置有碳化硅涂层。5.根据权利要求4所述的拉制轻掺硅单晶棒的新型单晶炉热场，其特征在于，所述导流筒包括相互连接的内导流筒和外导流筒；内导流筒设置在外导流筒内，内导流筒与外导流筒之间具有间隙，所述间隙内设置有保温材料。6.根据权利要求4所述的拉制轻掺硅单晶棒的新型单晶炉热场，其特征在于，所述轻掺硅单晶棒电阻率为0. 1-100 Q cm。7.根据权利要求4所述的拉制轻掺硅单晶棒的新型单晶炉热场，其特征在于，还包括保温筒，保温筒内设置有加热器，加热器围绕石墨坩埚设置，石墨坩埚内设置有石英坩埚；所述导流...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩建超，沈杨宇，
申请(专利权)人：上海合晶硅材料有限公司，
类型：实用新型
国别省市：