一种去除单晶硅埚底料中石英的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种去除单晶硅埚底料中石英的装置，包括在保温筒内外壁分别设有加热器及温控显示器；在保温筒的内底面上的底撑上放置有反应釜，反应釜与加热器同心分布；保温筒装有上盖板，反应釜装有反应釜盖板。本实用新型专利技术的装置使用时，向保温筒内加注自来水，后向已放置好反应釜内装入待去除石英的硅原料，再向反应釜内加入氢氟酸，盖合好反应釜盖板及上盖板，通过温控显示器启动及设置相关工作参数，直至实现反应要求即成。本实用新型专利技术保证了氢氟酸与埚底料在室温下显著加快反应速度、周期缩短、效率提高。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于单晶硅制造
，涉及一种去除单晶硅埚底料中石英的装置。技术背景 目前，在处理直拉单晶硅埚底料时，使用氢氟酸在室温条件下浸泡去除埚底料粘附的石英，使其达到太阳能级硅单晶原料的纯度要求，从而有效利用这部分埚底料。现有技术条件下，在使用氢氟酸浸泡过程中，由于室温温度过低，氢氟酸与埚底料反应速度过慢，反应周期长，工作效率低，且反应时间过长易发生副反应，埚底料的回收质量差。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种去除单晶硅埚底料中石英的装置，解决了现有技术中存在的氢氟酸与埚底料中石英在室温下反应速度慢、周期长、效率低的问题。本技术采用的技术方案是，一种去除单晶硅埚底料中石英的装置，包括保温筒，在保温筒内壁设置有加热器，在保温筒的外壁设有温控显示器，温控显示器与加热器之间通过电控装置连接；在保温筒的内底面上设置有底撑，在底撑上放置有反应釜，反应釜与加热器同心分布；保温筒安装有上盖板，反应釜安装有反应釜盖板。本技术的有益效果是I)由于本技术中采用了保温筒结构的水浴加热法，使得埚底料与氢氟酸的反应温度保持在一定范围内，加快了反应速度，反应速率最佳，缩短了反应时间，提高工作效率。2)减少本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种去除单晶硅埚底料中石英的装置，其特征在于：包括保温筒（4），在保温筒（4）内壁或内底部设置有加热器（5），在保温筒（4）的外壁设有温控显示器（6），温控显示器（6）与加热器（5）之间通过电控装置连接；在保温筒（4）的内底面上设置有底撑（8），在底撑（8）上放置有反应釜（3），反应釜（3）与加热器（5）同心分布；保温筒（4）安装有上盖板（1），反应釜（3）安装有反应釜盖板（2）；所述底撑（8）中心有圆柱形定位桩，所述反应釜（3）底部设有与圆柱形定位桩相配合的内凹圆型定位槽。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：潘永娥，崔巍，
申请(专利权)人：宁夏隆基硅材料有限公司，银川隆基硅材料有限公司，西安隆基硅材料股份有限公司，无锡隆基硅材料有限公司，
类型：实用新型
国别省市：