用于直拉硅单晶炉的热屏屏罩制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于直拉硅单晶炉的热屏屏罩，在热屏外胆内腔中设置有一个反射板，热屏外胆和反射板之间设置有隔热层，反射板与热屏内胆的形状一致，为上口大、下口小的中空环形结构；反射板上沿与散热盘的环形开口端下沿固定连接，散热盘的帽沿部分高出热场大盖上沿，散热盘的帽沿最大直径大于反射板上沿开口直径。本实用新型专利技术的装置，在温度较低的热场上方安装有散热盘，且散热盘与反射板连接起来，通过热传导的方式有效地将反射板吸收的热量传递到温度较低的热场上部，有效降低了晶体接受的反射板反射热量，更大程度加大了晶体的散热，提高晶体生长速度。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于直拉硅单晶炉设备
，涉及一种用于直拉硅单晶炉的热屏屏罩。
技术介绍
电子级及太阳能级单晶硅生产主要采用直拉单晶制造法。直拉单晶制造法(Czochralski, CZ法)是把原料多晶硅块放入石英坩埚中，在单晶炉中加热融化，再将一根直径只有IOmm的棒状晶种(称籽晶)浸入融液中。在合适的温度下，融液中的硅原子会顺着晶种的硅原子排列结构在固液交界面上形成规则的结晶，成为单晶体。把晶种微微的旋转向上提升，融液中的硅原子会在前面形成的单晶体上继续结晶，并延续其规则的原子排列结构。若整个结晶环境稳定，就可以周而复始的形成结晶，最后形成一根圆柱形的原子排列 整齐的娃单晶晶体，即单晶娃棒。为了缩短拉晶时间，进而提闻生广效率，目如最有效方法是提闻等径拉速，要提闻等径拉速，首先要提高单晶硅棒的冷却速度，即单晶硅棒的纵向温度梯度。中国专利CN101838841A公开了一种单晶炉装置，其热屏是由断热材、热屏罩、发射板组成，提高拉晶速度的原理之一是借助经镜面处理的发射板向上发射晶棒辐射的热量，反射板的高度小于内热屏罩的高度，以提高晶棒冷却的效果，进而提高拉晶速度、缩短拉晶时间、提高生产效率。其不足是反射板向上反射的热辐射仍有较大部分被晶体吸收，不能最大程度地加大晶体散热。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种用于直拉硅单晶炉的热屏屏罩，解决了现有技术中热屏结构不够合理，明显影响晶体散热，导致单晶硅棒散热慢、等径拉速低、生产效率低的问题。本技术所采用的技术方案是，一种用于直拉硅单晶炉的热屏屏罩，在热屏外胆内腔中设置有一个反射板，热屏外胆和反射板之间为隔热层，反射板为上口大、下口小的中空环形结构；反射板上沿与散热盘的环形开口端下沿固定连接，散热盘的上端沿高于热场大盖的上沿。本技术的用于直拉硅单晶炉的热屏屏罩，其特征还在于所述的散热盘的上端沿为帽沿形状，帽沿最大直径大于反射板上沿开口直径。本技术的有益效果是，在温度较低的热场上方安装有散热盘，且散热盘与反射板连接起来，通过热传导的方式有效地将反射板吸收的热量传递到温度较低的热场上部，有效地减少了晶体接受的来自反射板反射的热量，更大程度加大了晶体的散热，提高晶体生长速度。附图说明图I是本技术用于直拉硅单晶炉的热屏屏罩的结构示意图；图2是本技术装置的反射板与散热盘结构主视示意图；图3是本技术装置的反射板与散热盘结构俯视示意图。图中，I.反射板，2.散热盘，3.热屏外胆，4.热场大盖。具体实施方式以下结合附图和具体实施方式对本技术进行详细说明。参照图I、图2、图3，本技术的热屏屏罩结构是，在热屏外胆3内腔中设置有一个反射板I，热屏外胆3和反射板I之间设置有隔热层，反射板I与热屏内胆的形状一致，为上口大、下口小的中空环形结构；反射板I上沿与散热盘2的环形开口端下沿固定连接，散热盘2的上端沿高于热场大盖4的上沿，且散热盘2的上端沿为帽沿形状，该帽沿最大直径大于反射板I上沿开口直径，并且大于热场大盖4的内径。散热盘2的上端沿面积大小可根据热场大小和结构不同进行设计。散热盘2的帽沿部分高出热场大盖4上沿，悬空于温度较低的热场上部，这个区域的温度更低，有利于散热，且散热盘2与反射板I固定连接于一体，便于安装，便于反射板I吸收的热量通过热传导的方式有效地传递到温度较低的热场上部，有效降低了晶体接受的反射板反射热量，更大程度加大了晶体的散热，提高晶体生长速度。反射板I为辐射率很低的钥反射板，散热盘2为钥散热盘，热屏外胆3为高纯石墨外胆，隔热层材质为保温性较好的石墨软毡或固态毡。本技术用于直拉硅单晶炉的热屏屏罩，在安装时，先将散热盘2与反射板I固定连接于一体，再将反射板I放入热屏外胆3内腔中，使反射板I与热屏外胆3紧靠，同时，散热盘2的帽沿伸出热场上沿，悬空于温度较低的热场上部。权利要求1.一种用于直拉硅单晶炉的热屏屏罩，其特征在于在热屏外胆(3)内腔中设置有一个反射板(1)，热屏外胆(3)和反射板(I)之间为隔热层，反射板(I)为上口大、下口小的中空环形结构；反射板(I)上沿与散热盘(2)的环形开口端下沿固定连接，散热盘(2)的上端沿高于热场大盖(4)的上沿。2.根据权利要求I所述的用于直拉硅单晶炉的热屏屏罩，其特征在于所述的散热盘(2)的上端沿为帽沿形状，帽沿最大直径大于反射板(I)上沿开口直径。专利摘要本技术公开了一种用于直拉硅单晶炉的热屏屏罩，在热屏外胆内腔中设置有一个反射板，热屏外胆和反射板之间设置有隔热层，反射板与热屏内胆的形状一致，为上口大、下口小的中空环形结构；反射板上沿与散热盘的环形开口端下沿固定连接，散热盘的帽沿部分高出热场大盖上沿，散热盘的帽沿最大直径大于反射板上沿开口直径。本技术的装置，在温度较低的热场上方安装有散热盘，且散热盘与反射板连接起来，通过热传导的方式有效地将反射板吸收的热量传递到温度较低的热场上部，有效降低了晶体接受的反射板反射热量，更大程度加大了晶体的散热，提高晶体生长速度。文档编号C30B29/06GK202766655SQ20122033475公开日2013年3月6日 申请日期2012年7月11日 优先权日2012年7月11日专利技术者梁永生, 李迎春, 徐鹏国 申请人:银川隆基硅材料有限公司, 宁夏隆基硅材料有限公司, 西安隆基硅材料股份有限公司, 无锡隆基硅材料有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于直拉硅单晶炉的热屏屏罩，其特征在于：在热屏外胆（3）内腔中设置有一个反射板（1），热屏外胆（3）和反射板（1）之间为隔热层，反射板（1）为上口大、下口小的中空环形结构；反射板（1）上沿与散热盘（2）的环形开口端下沿固定连接，散热盘（2）的上端沿高于热场大盖（4）的上沿。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：梁永生，李迎春，徐鹏国，
申请(专利权)人：银川隆基硅材料有限公司，宁夏隆基硅材料有限公司，西安隆基硅材料股份有限公司，无锡隆基硅材料有限公司，
类型：实用新型
国别省市：