用于直拉硅单晶炉的热屏屏罩制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于直拉硅单晶炉的热屏屏罩，在热屏外胆内腔中设置有一个反射板，热屏外胆和反射板之间设置有隔热层，反射板与热屏内胆的形状一致，为上口大、下口小的中空环形结构；反射板上沿与散热盘的环形开口端下沿固定连接，散热盘的帽沿部分高出热场大盖上沿，散热盘的帽沿最大直径大于反射板上沿开口直径。本实用新型专利技术的装置，在温度较低的热场上方安装有散热盘，且散热盘与反射板连接起来，通过热传导的方式有效地将反射板吸收的热量传递到温度较低的热场上部，有效降低了晶体接受的反射板反射热量，更大程度加大了晶体的散热，提高晶体生长速度。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于直拉硅单晶炉设备
，涉及一种用于直拉硅单晶炉的热屏屏罩。
技术介绍
电子级及太阳能级单晶硅生产主要采用直拉单晶制造法。直拉单晶制造法(Czochralski, CZ法)是把原料多晶硅块放入石英坩埚中，在单晶炉中加热融化，再将一根直径只有IOmm的棒状晶种(称籽晶)浸入融液中。在合适的温度下，融液中的硅原子会顺着晶种的硅原子排列结构在固液交界面上形成规则的结晶，成为单晶体。把晶种微微的旋转向上提升，融液中的硅原子会在前面形成的单晶体上继续结晶，并延续其规则的原子排列结构。若整个结晶环境稳定，就可以周而复始的形成结晶，最后形成一根圆柱形的原子排列 整齐的娃单晶晶体，即单晶娃棒。为了缩短拉晶时间，进而提闻生广效率，目如最有效方法是提闻等径拉速，要提闻等径拉速，首先要提高单晶硅棒的冷却速度，即单晶硅棒的纵向温度梯度。中国专利CN101838841A公开了一种单晶炉装置，其热屏是由断热材、热屏罩、发射板组成，提高拉晶速度的原理之一是借助经镜面处理的发射板向上发射晶棒辐射的热量，反射板的高度小于内热屏罩的高度，以提高晶棒冷却的效果，进而提高拉晶速度、缩短拉晶时间、提高生产效率。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于直拉硅单晶炉的热屏屏罩，其特征在于：在热屏外胆（3）内腔中设置有一个反射板（1），热屏外胆（3）和反射板（1）之间为隔热层，反射板（1）为上口大、下口小的中空环形结构；反射板（1）上沿与散热盘（2）的环形开口端下沿固定连接，散热盘（2）的上端沿高于热场大盖（4）的上沿。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：梁永生，李迎春，徐鹏国，
申请(专利权)人：银川隆基硅材料有限公司，宁夏隆基硅材料有限公司，西安隆基硅材料股份有限公司，无锡隆基硅材料有限公司，
类型：实用新型
国别省市：