【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体生产设备
，具体地，涉及一种籽晶杆提拉定位器。
技术介绍
高温线-料底间距，直接关系到碳化硅晶体质量的好坏。高温线位置过高，则会使得坩埚顶部内由元素C和Si组成的混合气氛不足，原料供应不上；同时，又置籽晶于较高的温区、且该温区径向温度梯度较大，进而有可能引起碳化硅晶体整体相变、界面较凸和背向侵蚀籽晶等恶性影响；高温线位置过低，则可能会使原料表面温度过低，以至于由元素C和Si组成的混合气氛直接在原料表面或内部结晶，阻塞了气氛的输送通道，同样导致原料供应不足，并且此时籽晶处温度过低，中心与边缘生长速率都很快，使得碳化硅晶体很容易出现微管连线成片、中心多晶等缺陷。控制好高温线是碳化硅晶体生长的生命线。在生产中，人们主要通过调节籽晶位置，生长温度来和坩埚上部保温材料来控制高温线。由于晶体生长设备调试出来之后，相邻炉次的生长温度变化相差不大；再者，坩埚上部保温材料一般不随便变化。所以，调节籽晶位置是控制高温线的最常用手段。但在实际操作中，籽晶位置的调节由于设备本身的原因遇到了一些困难。出于石墨坩埚和碳化硅晶体方便进出等方面考虑，提拉系统的提拉杆与石墨...
【技术保护点】
一种籽晶杆提拉定位器，其特征在于，包括水平设置的籽晶杆提拉定位器本体，竖直设置的丝杆，和丝杆并行设置、且用于提拉石墨杆的石墨绳，以及设在石墨杆末端、用于连接籽晶杆本体、石墨杆和石墨绳、并支撑丝杆的提拉头；在所述在籽晶杆提拉定位器本体的内部，安装有电源、与电源连接的开关、以及连接在电源和籽晶杆提拉定位器本体的触角之间的指示灯组件；籽晶杆提拉定位器本体的触角，和丝杆触点式连接；提拉头，位于石墨杆末端，且与丝杆的下端刚性连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：古旭辉，陈斌，杜广平，刘伟，孟宪府，李坚，
申请(专利权)人：新疆天科合达蓝光半导体有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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