本发明公开了一种碳化硅单晶衬底，包括第一表面和第二表面，所述第一表面包括钉扎区和制件区，所述钉扎区为人工设置的势阱，以将所述钉扎区周围区域的位错集中于所述钉扎区，所述第一表面上设置多个所述钉扎区；所述制件区用于制作半导体器件，所述制件区...

本发明提供了一种工作状态下的碳化硅晶体生长炉。本发明还提供了一种制备大尺寸高纯半绝缘碳化硅单晶的生长方法，通过在碳化硅晶体生长前，增加了高温高压大流量冲洗腔体的关键工艺，高压下可有效保护碳化硅籽晶不被破坏，高温下可使吸附于体系内的氮、硼...

本发明提供了一种碳化硅晶体的制备方法，包括以下步骤：A)将碳化硅原料置于坩埚底部，将碳化硅籽晶置于坩埚顶部，所述碳化硅籽晶与坩埚非接触面设置有硅膜；B)将步骤A)得到容器置于碳化硅晶体生长单晶炉中，密封并抽真空，再充入生长气体，然后进行...

本发明公开一种碳化硅单晶生长用坩埚结构和碳化硅单晶的生长方法，坩埚结构包括坩埚主体，设有碳化硅原料腔体和顶部开口；封闭所述顶部开口的坩埚盖，所述坩埚盖底部设置有籽晶；至少布置在碳化硅原料腔体的目标原料位以下的石墨过滤结构，所述石墨过滤结...

本发明提供了一种碳化硅单晶片，所述碳化硅单晶片的原子面向C面弯曲，Si面原子面的弯曲度大于C面原子面的弯曲度。本发明提供了一种(0001)原子面向C面弯曲，且Si面原子面弯曲度大于C面原子面弯曲度的碳化硅单晶片，以本发明提供的SiC单晶...

提供用于生长SiC晶体的SiC原料的制备方法和装置。该方法包括：将SiC粉料装入第一石墨坩埚中，在第一石墨坩埚上倒置安装第二石墨坩埚；将安装好的两个石墨坩埚放入加热装置中，将加热装置抽真空并升温至预设温度；其中，第一石墨坩埚位于相对高温...

本发明提供了一种碳化硅晶体生长用大粒径碳化硅（SiC）粉料的合成方法。采用高纯碳粉和高纯硅粉为原料并混合均匀，将混合均匀后的粉末原料分为数份置于坩埚中，每份粉末原料之间用石墨片隔开，将坩埚放入加热炉中，抽真空到炉内部压力小于10‑3Pa...

本发明公开了一种从籽晶托上剥离碳化硅籽晶的方法。该方法主要利用高浓度的氧化性酸在一定温度下可以与籽晶粘合剂——糖或有机胶等有机物发生化学反应，而碳化硅籽晶不与高浓度的氧化性酸反应，从而将碳化硅籽晶从籽晶托上剥离，剥离下的籽晶通过水洗、烘...

本实用新型公开了一种籽晶杆提拉定位器，包括水平设置的籽晶杆提拉定位器本体，竖直设置的丝杆，和丝杆并行设置、且用于提拉石墨杆的石墨绳，以及设在石墨杆末端、用于连接籽晶杆本体、石墨杆和石墨绳、并支撑丝杆的提拉头；在籽晶杆提拉定位器本体的内部...

本发明公开了一种籽晶杆提拉定位器，包括水平设置的籽晶杆提拉定位器本体，竖直设置的丝杆，和丝杆并行设置、且用于提拉石墨杆的石墨绳，以及设在石墨杆末端、用于连接籽晶杆本体、石墨杆和石墨绳、并支撑丝杆的提拉头；在籽晶杆提拉定位器本体的内部，安...

本发明公开了一种从碳化硅晶体打磨废料中提取金刚石磨料的方法，包括：将碳化硅晶体打磨废料加入浓度为10-20%的硫酸溶液中，至少浸泡24h，使碳化硅晶体打磨废料和硫酸溶液反应完全后静置沉淀；将静置沉淀后的上清液倒出后，使用去离子水对静置沉...

本发明公开了一种碳化硅晶体生长的籽晶处理方法以及使用该籽晶处理方法的碳化硅单晶生长方法。籽晶处理方法包括在与籽晶的生长面相反的籽晶背面涂覆有机物，在所述有机物中碳元素的质量百分比大于５０％；然后将已涂覆上述有机物的上述籽晶加热到１０００...

本发明主要应用于碳化硅晶体生长结束后再处理领域，具体来说是通过密封性良好、温度梯度小（晶体处温度梯度１－２０℃／ｃｍ）的退火炉，在压力１万帕以上的惰性气体下用１０－５０小时升到退火温度，退火温度在２１００－２５００℃，恒温１０－４０小时...

本发明公开了一种升华法制备碳化硅纳米棒的方法，是通过以下工艺过程实现的：将碳化硅粉放入坩埚中，在坩埚上部３０～３００ｍｍ处放置沉积物收集器，置于１０－３Ｐａ以下真空环境中，再充以氩气至大于１００００Ｐａ并升温至１８００～２５００℃，之后...