低内应力的铜电镀方法技术
【技术实现步骤摘要】
低内应力的铜电镀方法
本专利技术涉及一种低内应力的铜电镀方法。更特别地，本专利技术涉及一种能够提供低内应力的铜沉积物的铜电镀方法，该方法以包括含硫电镀促进剂化合物的电镀组合物电镀铜，所述含硫电镀促进剂化合物的浓度取决于操作电流密度。
技术介绍
电沉积金属的内部的或固有的应力是由电镀晶体结构的缺陷所导致的普遍现象。电镀操作之后这些缺陷设法进行自我修正，并且这导致了沉积物上的压力收缩(抗拉强度)或扩张(抗压应力)。该应力及其解除会带来问题。例如，当电镀主要作用在基板的一边时可能导致基板的卷曲，弯曲和扭曲，而这取决于基板的柔性和应力值。应力可能导致基板与沉积物的低附着力，从而导致气孔产生，剥落或裂开。这对于粘附基板来说是尤其困难的，例如半导体晶片或者那些具有相对平滑表面形貌的基板。总之，应力值的大小与沉积物的厚度成正比，因此要求更厚的沉积物可能是有问题的，这的确限制了所能达到的沉积物厚度。通过酸性电镀工艺沉积大多数包括铜在内的金属时会出现内应力。商业酸性电镀铜工艺使用各种各样的有机添加剂，有益地改进电镀过程和沉积特性。公知地，这些电镀浴得到的沉积物可能经历室温下的自退火...
【技术保护点】
一种方法，其包括：a)使用包含一种或多种铜离子源、一种或多种抑制剂以及足量的一种或多种促进剂的组合物接触基板以形成具有无光泽外观的铜沉积物；以及b)在基板上施加电流，以使得通过基板的电流密度等于或低于无光泽电流密度最大值，从而在基板上沉积具有无光泽外观的铜。
【技术特征摘要】
2011.09.09 US 61/573,6521.一种提供低内应力铜沉积的方法，所述方法包括：a)使用包含一种或多种铜离子源、一种或多种抑制剂以及已知浓度且足量的一种或多种促进剂的组合物接触霍尔槽金属测试片以形成具有无光泽外观的铜沉积物，所述抑制剂选自聚氧化亚烷基二醇，羧甲基纤维素，壬基苯酚聚乙二醇醚，辛二醇双-(聚亚烷基二醇醚)，辛醇聚亚烷基二醇醚，油酸聚乙二醇酯，聚乙烯丙二醇，聚乙二醇，聚乙二醇二甲醚，聚氧亚丙基二醇，聚丙二醇，聚乙烯醇，硬脂酸聚乙二醇酯和硬脂醇聚乙二醇醚，所述促进剂选自3-巯基丙烷-1-磺酸，亚乙基二硫代二丙基磺酸，双-(ω-磺丁基)-二硫化物，甲基-(ω-磺丙基)-二硫化物，N,N-二甲基二硫代氨基甲酸-(3-磺丙基)酯，(O-乙基二硫代碳酸根合)-S-(3-磺丙基)-酯，3-[(氨基-亚氨基甲基)-硫醇]-丙烷磺酸，3-(2-苄基噻唑基硫代)-1-丙烷磺酸，双-(磺丙基)-...
【专利技术属性】
技术研发人员：G·R·奥拉德伊斯，G·哈姆，N·卡拉亚，
申请(专利权)人：罗门哈斯电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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