无籽刺梨种苗快速扩繁的方法技术

技术编号:8476852 阅读:388 留言:0更新日期:2013-03-27 12:57
本发明专利技术涉及一种植物无性繁殖苗木的方法,特别是一种无籽刺梨种苗快速扩繁的方法,按以下步骤进行:1.腋芽诱导启动培养阶段;2.腋芽快速增殖阶段,将伸长的腋芽切成2厘米长带1-3个叶腋的茎段,接种于增殖培养基上,进行增殖培养,待小苗长高到4厘米以上后,再将小苗切成2厘米长带1-3个叶腋的茎段进行腋芽增殖诱导,重复2此过程便可进行无籽刺梨的大量扩繁;3.组培生根炼苗移栽阶段,将获得的增殖苗接种于生根培养基后,待根系长至2-3厘米后,洗净根上的培养基,移栽到炼苗基质(腐殖土:珍珠岩=5:1)中,成活后移至营养袋中。炼苗4个月后,可直接用于造林。该方法操作简单,增殖系数稳定,苗木质量有保证,可以有效地满足工厂化生产需求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于植物组织培养中的一项苗木生产应用技术,主要是通过反复诱导无籽刺梨腋芽来进行快速培育组培苗的方法。
技术介绍
无籽刺梨(愈sa俗称搭钩刺梨,为贵州特有种,属蔷薇科攀援性多年生常绿灌木,高4-6m,生长强旺。小枝和叶柄紫红色,具稀少弯曲的皮刺,被灰白色绒毛。羽状复叶,具小叶7-9枚,小叶椭圆形或倒卵状椭圆形,长1. 5-3. 5厘米,宽1-2. 5厘米,先端急尖或钝,基部近圆形,两侧不对称,两面无毛,托叶附生于叶柄上,披针形。花3-5朵组成伞房花序,顶生。果实扁球形,径约2厘米,灰棕色,疏被刺。成熟果暗橙黄色,果面皮刺基本脱落。由于无籽刺梨的雄蕊败育,几乎没有花粉,因此种子败育,无籽,故叫做无籽刺梨。无籽刺梨人工种植后,一般第三年便可挂果,成熟的刺梨果肉肥厚、味酸甜,其果实内含有丰富的维生素C,被称为“维C之王”,因其食补、药补功效明显,又被称为“延年果”,是加工保健食品的上等原料,具有多种医疗保健作用,鲜食加工均宜。此外,无籽刺梨生长快,根系发达,适宜山地造林,特别是山区可作为重要的经济树种进行开发,有效带动当地百姓致富。由于无籽刺梨属野生资源,分布范围窄,资源较少,无法通过种子繁殖,所以自然繁殖较慢。采用传统的扦插方法进行无籽刺梨的种苗繁育,其繁殖速度相对较慢,需要的材料多;特别是对于优良无性系材料的扩繁,材料数量少,短时间内很难大量扩繁,不能有效的满足企业及种植户对优质种苗的需求,采用组培的方法其繁殖系数达3-4倍,有效解决了无籽刺梨优良材料快速扩繁的问题,从而使得优良无性系材料能够大面积推广,为高产奠定坚实的基础。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种遗传性状稳定、培养过程简单、易生根,移栽容易成活的无籽刺梨快速扩繁的方 法。本专利技术是一种,按下列步骤实施(1)腋芽诱导的启动培养,选取优良的无籽刺梨的当年生嫩茎,将嫩茎先用流水冲洗 10-15分钟后,剪成5cm长的茎段进行消毒,消毒采用75%的酒精和O. 1%升汞组合消毒,酒精30秒,升汞8-12分钟,消毒后用无菌水冲洗3-4遍,用消毒过的滤纸吸干茎段上的水分, 再将其切成带I个叶腋的茎段,斜插在腋芽启动培养基上,叶腋朝上,保证叶腋处能够得到充分的光照,启动培养基为MS+6-BA0. 5-2. 0mg/L+IBA0. 1-0. 3mg/L, 10天后从叶腋处位置诱导出腋芽,继续培养,整个启动培养的条件均为光强1000-2000LUX,光照时间12小时/ 天,温度在23-26 °C间;(2)腋芽的增殖诱导,当腋芽长高成4厘米以上的小苗后,将其切成2厘米长的茎段, 每段带1-3个叶腋,然后斜插在腋芽增殖培养基上,叶腋朝上,保证叶腋处能够得到充分的光照,增殖培养基为MS+ZT1. 0-1. 5mg/L+IBA0. 05-0. lmg/L, 15天后,诱导出腋芽,同时在腋芽基部会诱导出1-3个不定芽小苗,再经过30天的培养,待小苗长到4厘米高,再将小苗切成2厘米长带1-3个叶腋的茎段转到相同的腋芽增殖培养基上,经过45天的培养,诱导出来的小苗又可长高到4-5厘米,反复将高4-5厘米的小苗切成2厘米长带1-3个叶腋的茎段在增殖培养基上进行增殖培养,可以使得无籽刺梨进行快速大量的扩繁,其增殖倍数为3-4倍,整个腋芽增殖培养的条件均为光强1000-2000Lux,光照时间12小时/天,温度在23-26。。间; (3)无籽刺梨组培苗的生根,将长高到4厘米的小苗转接到生根培养基上,生根培养基为1/2MS+IBA0. 01-0. 05mg/L +ΙΑΑ0. 01-0. 05mg/L, 15天后可生根,得到无籽刺梨生根苗,生根率达95%以上,整个生根培养的条件均为光强1000-2000Lux,光照时间12小时/天,温度在 23-26。。间; (4)无籽刺梨生根苗的清洗及移栽当无籽刺梨生根苗的根长到2厘米以上后,直接取出生根苗,洗净沾附在根部的培养基,之后进行炼苗移栽,移栽基质配比为按体积比腐殖土 珍珠岩=5 :1,移栽后注意棚内控温控湿,温度控制在25-30度之间,湿度在80%以上,15·天后成活,成活率达90%以上,成活后移至IOcmX IOcm的营养袋中,移栽基质为按体积比腐殖土 珍珠岩=5 :1。该方法结合了组培技术及扦插技术,利用在组培过程中的无菌环境,采用微型扦插的方法,首先从无籽刺梨的叶腋处诱导出腋芽,不必经过脱分化和再分化,当试管苗长大伸长后,将其剪成带I叶或2叶的茎段,一定时间后腋芽萌发,同时腋芽也会萌生出1-2个小芽,之后茎伸长,下端不生根。尔后再将茎切成小段,利用腋芽萌发成植株,这样周而复始继代培养繁殖苗木。该方法和扦插繁殖一样,不过是在无菌条件下的试管内进行,由于没有经过脱分化和再分化阶段,每次转苗可增加2-4倍。它具有遗传性状稳定、培养过程简单、易生根,移栽容易成活的优点。具体实施例方式实施例1:实施时间为2012年,无籽刺梨组培苗批量生产在昆明美兰花卉种苗有限责任公司进行。按下列步骤实施 (I)腋芽诱导的启动培养,于2012年3月选取优良的无籽刺梨的当年生嫩茎,启动培养基为MS+6-BA1. 0mg/L+IBA0. lmg/L,消毒后共接种2000瓶,每瓶接种I个叶腋,茎段长度2厘米。10天后从叶腋处位置诱导出腋芽,去除污染后,腋芽诱导率90%以上,20天后腋芽长至4厘米以上,进行一下步操作。启动培养条件为光强1000-2000LUX,光照时间12小时/天,温度在23-26°C间。(2)腋芽的增殖诱导,当腋芽长高到4厘米以上后,将其再切成2厘米长带1-3个叶腋的茎段,接种于增殖培养基上,增殖培养基为MS+ZT1. 0mg/L+IBA0. 05mg/L。培养15天后,在诱导出腋芽的同时,在腋芽基部会诱导出2个不定芽小苗,待小苗长到4厘米以上后,再将小苗切成2厘米长带1-3个叶腋的茎段转到相同的增殖培养基上,重复腋芽的增殖培养过程,使得无籽刺梨进行快速大量的扩繁,其增殖系数为3。培养条件为光强1000-2000Lux,光照时间12小时/天,温度在23_26°C间。(3)无籽刺梨组培苗的生根。2012年10月开始对小苗进行生根,生根培养基为1/2MS+IBA0. Olmg/L +IAAO. Olmg/L,15天后生根率达98%以上,培养条件为光强 1000-2000Lux,光照时间12小时/天,温度在23_26°C间。(4)无籽刺梨生根苗的清洗及移栽当根长到2厘米以上后,直接取出生根苗,洗 净后进行炼苗移栽,棚内温度控制在25-30度之间,湿度在80%以上,15天后小苗开始生长, 成活率达99%以上,I个月后,转到营养袋中,营养袋规格为IOcmX 10cm,再养护3个后,苗高20厘米以上,进行上山造林。权利要求1.一种,其特征在于包括腋芽诱导、组培苗生根、生根苗移栽等步骤,具体是 (1)腋芽诱导的启动培养,选取优良的无籽刺梨的当年生嫩茎,将嫩茎先用流水冲洗10-15分钟后,剪成5cm左右的茎段进行消毒,消毒采用75%酒精和O. 1%升汞组合消毒,酒精30秒,升汞8-12分钟,消毒后用无菌水冲洗3-4遍,用消毒过的滤纸吸干茎段上的水分,再将其切成带I个叶腋的茎段,斜插在腋芽启动培养基上,叶腋朝上,保证叶腋处能够得到充分的光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种无籽刺梨种苗快速扩繁的方法,其特征在于包括腋芽诱导、组培苗生根、生根苗移栽等步骤,具体是:(1)腋芽诱导的启动培养,选取优良的无籽刺梨的当年生嫩茎,将嫩茎先用流水冲洗10?15分钟后,剪成5cm左右的茎段进行消毒,消毒采用75%酒精和0.1%升汞组合消毒,酒精30秒,升汞8?12分钟,消毒后用无菌水冲洗3?4遍,用消毒过的滤纸吸干茎段上的水分,再将其切成带1个叶腋的茎段,斜插在腋芽启动培养基上,叶腋朝上,保证叶腋处能够得到充分的光照,启动培养基为MS+6?BA0.5?2.0mg/L+IBA0.1?0.3mg/L,10天后从叶腋处位置诱导出腋芽,继续培养,整个启动培养的条件均为光强1000?2000Lux,光照时间12小时/天,温度在23?26℃间;(2)腋芽的增殖诱导,当腋芽长高成4厘米以上的小苗后,将其切成2厘米长的茎段,每段带1?3个叶腋,然后斜插在腋芽增殖培养基上,叶腋朝上,保证叶腋处能够得到充分的光照,增殖培养基为MS+ZT1.0?1.5mg/L+IBA0.05?0.1mg/L,15天后,诱导出腋芽,同时在腋芽基部会诱导出1?3个不定芽小苗,再经过30天的培养,小苗可长到4厘米高,之后再将小苗切成2厘米长带1?3个叶腋的茎段转到相同的腋芽增殖培养基上,经过45天的培养,诱导出来的小苗又可长高到4?5厘米,反复将高4?5厘米的小苗切成2厘米长带1?3个叶腋的茎段在增殖培养基上进行增殖培养,其增殖倍数为3?4倍,整个腋芽增殖培养的条件均为光强1000?2000Lux,光照时间12小时/天,温度在23?26℃间;(3)无籽刺梨组培苗的生根,将长高到4厘米的小苗转接到生根培养基上,生根培养基为1/2MS+IBA0.01?0.05mg/L?+IAA0.01?0.05mg/L,15天后可生根,得到无籽刺梨生根苗,整个生根培养的条件均为光强1000?2000Lux,光照时间12小时/天,温度在23?26℃间;(4)无籽刺梨生根苗的清洗及移栽:当无籽刺梨生根苗的根长到2厘米以上后,直接取出生根苗,洗净沾附在根部的培养基,之后进行炼苗移栽,移栽基质配比按体积比为腐殖土:珍珠岩=5:1,移栽后注意棚内控温控湿,温度控制在25?30度之间,湿度在80%以上,15天后成活,成活后移至10cm×10cm的营养袋中,移栽基质为按体积比腐殖土:珍珠岩=5:1。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:李永和唐军荣辛静辛培尧林源
申请(专利权)人:西南林业大学
类型:发明
国别省市:

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