透射式电子束泵浦的发光管制造技术

技术编号:8454433 阅读:165 留言:0更新日期:2013-03-21 23:11
本发明专利技术涉及光源领域,具体涉及电致发光领域。透射式电子束泵浦的发光管包括一电致发光半导体机构,电致发光半导体机构生成在一底座上,还包括一激励源,激励源采用一电子枪系统;电致发光半导体机构设置在电子枪系统的靶向方向上。电致发光半导体机构包含至少两层层叠的电致发光半导体层,构成半导体发光结构。相邻的两层电致发光半导体层为禁带宽度不同的电致发光半导体层,从而在新组成的材料的能带结构上形成单势能阱或是多势能阱的结构。以便于提高转换效率和调控光的波长。这些势能阱结构有利于约束半导体导带和价带上的载流子于特定的能量状态上,从而达到提高转换效率的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光源领域,具体涉及电致发光领域。
技术介绍
目前,实用的发光机制主要是两类一类是以气体电辉光为发光机制的传统的气体光源;另一类是一固体发光二极管(LED)为主的固体光源。这两种光源都有非常明显的缺陷。传统的气体光源转换效率差,光谱中存在大量杂乱的部分,不是好的单色光,有相当大的的能量浪费。此外,传统的气体光源还有污染环境的问题。以固态发光二极管(LED)为主的固态光源与传统的气体光源相比,在某些方面有了改进,但是它仍然有转换效率低,光强低等的缺陷。
技术实现思路
本专利技术的目的在于,提供一种透射式电子束泵浦的发光管,解决以上技术问题。本专利技术所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现透射式电子束泵浦的发光管包括一电致发光半导体机构,所述电致发光半导体机构生成在一底座上,其特征在于,还包括一激励源,所述激励源采用一电子枪系统;所述电致发光半导体机构设置在所述电子枪系统的靶向方向上。所述电致发光半导体机构包含至少两层层叠的电致发光半导体层,构成半导体发光结构。电致发光半导体机构可以通过反射镜或是底座连接电极。这些电致发光半导体层的材料可以是晶格匹配的,也可以是晶格不匹配的本文档来自技高网...

【技术保护点】
透射式电子束泵浦的发光管包括一电致发光半导体机构,所述电致发光半导体机构生成在一底座上,其特征在于,还包括一激励源,所述激励源采用一电子枪系统;所述电致发光半导体机构设置在所述电子枪系统的靶向方向上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:张学渊钟伟杰赵健夏忠平
申请(专利权)人:上海显恒光电科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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