【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及激光领域，具体涉及半导体激光器。
技术介绍
目前，激光器主要是三类一类是以激光二极管，一类是以DPSS为基础的固体激光器；另一类是以准分子激光器为主的气体激光器。现有的紫外激光器主要以气体激光器为主。现有的紫外激光器都存在着效率低、功耗大、输出功率低等等的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种透射式电子束泵浦紫外激光管，解决以上技术问题。本专利技术所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现透射式电子束泵浦紫外激光管包括一激励源、谐振腔，谐振腔生成在一衬底上，其特征在于，所述激励源采用一电子枪系统；所述谐振腔设置在所述电子枪系统的靶向方向上；所述谐振腔内设有半导体结构，所述半导体结构生成在所述衬底上，所述衬底上设有一层高禁带半导体层，所述高禁带半导体层上生长有另一层禁带宽度不同的高禁带半导体层。本专利技术选择禁带宽度不同的半导体层，从而组成新的结构的能带结构上形成势能阱结构。这些势能阱结构有利于约束半导体导带和价带上的载流子于特定的能量状态上，从而达到提闻转换效率的目的。所述半导体结构包括至少两种不同材质的所述高禁带半导体层，且包含至少三层...
【技术保护点】
透射式电子束泵浦紫外激光管包括一激励源、谐振腔，谐振腔生成在一衬底上，其特征在于，所述激励源采用一电子枪系统；所述谐振腔设置在所述电子枪系统的靶向方向上；所述谐振腔内设有半导体结构，所述半导体结构生成在所述衬底上，所述衬底上设有一层高禁带半导体层，所述高禁带半导体层上生长有另一层禁带宽度不同的高禁带半导体层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张学渊，钟伟杰，赵健，夏忠平，
申请(专利权)人：上海显恒光电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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