【技术实现步骤摘要】
激光器件及具有激光器件的阵列、设备、模块和系统本专利技术专利申请是国际申请日为2009年04月28日、国际申请号为PCT/ JP2009/058733,国家申请号为200980125447. 9、进入中国国家阶段日期为2010年12月30 日、申请人为“株式会社理光”、专利技术名称为“垂直腔表面发射激光器件、垂直腔表面发射激光器阵列、光学扫描设备、成像设备、光学发射模块和光学发射系统”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术旨在一种垂直腔表面发射激光器件、垂直腔表面发射激光器阵列、光学扫描设备、成像设备、光学发射模块和光学发射系统。尤其是，本专利技术旨在相对于衬底正交地发射光线的垂直腔表面发射激光器件、其中集成有这种垂直腔表面发射激光器件的垂直腔表面发射激光器阵列；包括这种垂直腔表面发射激光器件或者这种垂直腔表面发射激光器阵列的光学扫描设备；包括这种光学扫描设备的成像设备以及包括这种垂直腔表面发射激光器阵列的光学发射模块和光学发射系统。
技术介绍
由于它们的结构，垂直腔表面发射激光器件特征在于容易降低阈值电流和功率消耗。近年来，氧化物限制垂直腔表面发射激光器件已...
【技术保护点】
一种垂直腔表面发射激光器件，其相对于衬底正交地发光，该垂直腔表面发射激光器件包括：包括有源层的谐振器结构；以及半导体多层反射器，该半导体多层反射器设置成在其间夹置该谐振器结构，并且包括多对第一层和第二层，所述第一层和第二层具有不同的折射率，其中，所述第二层比第一层具有更高的导热率，所述半导体多层反射器包括第一局部反射器和第二局部反射器，第一局部反射器包括至少一对，其中所述第二层在光学厚度上大于第一层，所述第二局部反射器设置在第一局部反射器和谐振器结构之间，并且包括至少一对，其中，第一层和第二层中每一个在光学厚度上都小于所述第一局部反射器的第二层的。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：轴谷直人，佐藤俊一，菅原悟，本村宽，
申请(专利权)人：株式会社理光，
类型：发明
国别省市：
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