【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体光电子
,涉及一种应用石墨烯表面电流扩展层的大功率垂直腔面发射激光器,特别是顶发射的大功率垂直腔面发射激光器。
技术介绍
对于大功率的垂直腔面发射激光器,要增加输出功率,必然要求出光面积增大,易导致注入的电流集中于电极环边缘,不能有效流经整个出光面而注入到有源区。致使电流扩展不均匀,局部发热严重,影响器件模式。如采用表面过高的掺杂的方法来增加电流扩展,又会增加因载流子引起的光的吸收。为解决大功率面发射激光器电流扩展和散热的问题人们采用倒装技术,即激光从衬底方向一侧出射(底发射)。这种方法工艺复杂,成品率较低。 自2004年英国Manchester大学的A. K. Geim小组利用机械剥离方法制备出单原子层的石墨样品(即石墨烯)以来,由于其优越的性质而受到研究者们越来越多的关注。如室温下的电子迁移率高达 10000cm2/(v*s),其导电性可与金属铜相比,在可见光范围的透光率可达97. 7%,远闻于导电薄I旲。同时,石墨稀具有闻柔性,在6 %的应变下,石墨稀方阻不会变化,还具有突出的导热性能(3000W/ Cm · K))等。利用石墨烯 ...
【技术保护点】
一种应用石墨烯表面电流扩展层的大功率面发射激光器,从下至上依次为下电极(10),N型衬底(2),N型分布布拉格反射镜(31),有源层(4),电流限制层(5),P型分布布拉格反射镜(32),欧姆接触层(6),石墨烯薄膜电流扩展层(7),上电极(11);其特征在于,利用外延生长的办法在N型衬底(2)上依次生长出除上下电极和石墨烯电流扩展层的各层结构。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:徐晨,毛明明,许坤,孙捷,解意洋,刘久澄,邓军,朱彦旭,
申请(专利权)人:北京工业大学,
类型:发明
国别省市:
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