电子元件、面发光激光器、面发光激光器阵列、光源以及光模块制造技术

一种电子元件，其具有由第1半导体层与第2半导体层的周期结构构成的半导体多层结构，其中，在所述半导体多层结构的至少一部分中，所述第1半导体层与所述第2半导体层具有互不相同的导电型。所述第1半导体层与所述第2半导体层具有互不相同的折射率，所述半导体多层结构作为多层膜反射镜发挥作用。从而，提供一种降低了寄生电容的电子元件、面发光激光器、面发光激光器阵列、光源以及光模块。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及电子元件、面发光激光器、面发光激光器阵列、光源以及光模块。
技术介绍
例如，公开了一种具有内腔结构的面发光激光器作为光互连用的光源(参照专利文献1、2)。内腔结构是指从构成光谐振器的两个反射镜(例如DBR (Distributed BraggReflector :分布布拉格反射器)反射镜)的内侧，不经由一个或者两个反射镜而向有源层注入电流的结构。专利文献I所公开的面发光激光器在基板上形成有下部DBR反射镜。并且，在该 下部DBR反射镜上依次形成有η型接触层与有源层，并且在η型接触层上形成有η侧电极。此外，在有源层的上侧形成有P侧电极，在该P侧电极的更上侧形成有上部DBR反射镜。专利文献I所公开的面发光激光器具有能够不经由上部以及下部DBR反射镜两者而向有源层注入电流的双内腔结构。专利文献I所公开的面发光激光器通过具有内腔结构，从而实现了低阈值电流以及高功率效率。其中，在不经由下部DBR反射镜而向有源层注入电流的内腔结构的情况中，通常为了寄生电容的降低等，下部DBR反射镜由不掺杂的半导体构成。专利文献I美国特许第6750071号说明书专利文献2日本特开2004-1037本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.10.04 JP 2010-2250751.一种电子元件，其具有由第I半导体层与第2半导体层的周期结构构成的半导体多层结构，其特征在于，在所述半导体多层结构的至少一部分中，所述第I半导体层与所述第2半导体层具有互不相同的导电型。2.根据权利要求I所述的电子元件，其特征在于，所述第I半导体层与所述第2半导体层具有互不相同的折射率，所述半导体多层结构作为多层膜反射镜发挥作用。3.—种面发光激光器,其特征在于,具有 下部半导体多层膜反射镜，其由第I低折射率层与具有比该第I低折射率层高的折射率的第I高折射率层的周期结构构成；上部多层膜反射镜，其由第2低折射率层与具有比该第2低折射率层高的折射率的第2高折射率层的周期结构构成； 有源层，其设置于所述下部半导体多层膜反射镜与所述上部多层膜反射镜之间； 以及下部接触层，其设置于所述有源层与所述下部半导体多层膜反射镜之间，形成有用于向所述有源层供给电流的下部电极， 其中，在所述下部半导体多层膜反射镜的至少一部分中，所述第I低折射率层与所述第I高折射率层具有互不相同的导电型。4.根据权利要求3所述的面发光激光器，其特征在于，所述具有互不相同的导电型的第I低折射率层与第I高折射率层中的P型以及η型的载流子浓度全部小于IX 1017cm_3。5.根据权利要求3或者4所述的面发光激光器，其特征在于，所述下部半导体多层膜反射镜包含具有取入所述碳的性质的元素。6.根据权利要求5所述的面发光激光器，其特征在于，所述具有取入碳的性质的元素为招(Al)。7.根据权利要求3 6的任一项所述的面发光激光器，其特征在于，在所述下部半导体多层膜反射镜中，所述第I低折射率层由AlGaAs构成，所述第I高折射率层由(Al)GaAs构成。8.根据权利要求3 6的任一项所述的面发光激光器，其特征在于，在所述下部半导体多层膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：清水均，川北泰雅，
申请(专利权)人：古河电气工业株式会社，
类型：
国别省市：