垂直腔面发射激光器侧面泵浦源及其制作方法技术

本发明专利技术涉及一种垂直腔面发射激光器侧面泵浦源及其制作方法，涉及半导体光电子学技术领域。本发明专利技术的垂直腔面发射激光器侧面泵浦源，包括内有制冷液体的大通道热沉，热沉的上端有水平安装面，绝缘的串接结构热沉，热沉表面的金属薄膜，金丝引线，以及垂直腔面发射激光器面阵。本发明专利技术的垂直腔面发射激光器侧面泵浦源，在不提高电流的情况下增加出光面积，提高了功率，且集成度高，光束质量好。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体光电子学
，具体涉及一种。
技术介绍
半导体激光器可以分为边发射和面发射两种。其中，边发射半导体激光器目前已发展的比较成熟，然而，由于其光束是椭圆形的，在相互垂直的两个轴上发散角相差比较大，光束质量比较差，因此，在使用时需使用复杂昂贵的光束整形系统。垂直腔面发射激光器(VCSEL)是一种垂直表面出光的新型激光器。与传统边发射激光器不同的结构带来了许多优势小的发散角和圆形对称的远、近场分布使其与光纤的 耦合效率大大提高，而不需要复杂昂贵的光束整形系统，现已证实与多模光纤的耦合效率竟能大于90% ;光腔长度极短，导致其纵模间距拉大，可在较宽的温度范围内实现单纵模工作，动态调制频率高；腔体积减小使得其自发辐射因子较普通端面发射激光器高几个数量级，这导致许多物理特性大为改善。随着垂直腔面发射激光器制备工艺的发展，功率逐渐提高，用于背面泵浦成为可能，而且由于垂直腔面发射激光器具有成本低廉、光谱特性和光束质量好以及可靠行稳定的特性，使其成为未来侧面泵浦的一个重要方向。提高激光器侧面泵浦源输出功率的一个重要方法是增加其出光单元。但鉴于一方面，边发射半导体激光器集成度低，本文档来自技高网...

【技术保护点】
垂直腔面发射激光器侧面泵浦源，其特征在于，包括：内有制冷液体的大通道热沉（1），所述大通道热沉（1）的上端设有水平安装面（6），绝缘热沉（2），以及垂直腔面发射激光器列阵（4）；在所述绝缘热沉（2）内镀制有金属薄膜（3）；所述垂直腔面发射激光器列阵（4）与所述金属薄膜（3）通过金丝引线（5）连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：宁永强，张金胜，张金龙，刘云，王立军，
申请(专利权)人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，
类型：发明
国别省市：