引线框架及其生产方法技术

本发明专利技术涉及电子封装制造领域，尤其涉及封装芯片所用的引线框架，特别是主要应用于SOT(小外型晶体管)系列引线框架。一种引线框架的生产方法，包括：A）冲压、B）电镀和C）成型步骤；其中，A）冲压步骤：取铜合金片材，通过冲裁模具的凸、凹模进行冲压，形成引线框架半成品，该铜合金片材的抗拉强度Rm为≥600MPa，断后延伸率A11.3≥8%，维氏硬度HV≥180，导电率≥46%IACS，热导率≥190w/m.k.；B）电镀步骤:将上述的引线框架半成品依次序如下处理：预镀银、镀银、退银；C）成型步骤：将上述电镀后的引线框架半成品进行切片成型。本发明专利技术的引线框架具有更良好的机械特性和电热学特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子封装制造领域，尤其涉及封装芯片所用的引线框架，特别是主要应用于SOT(小外型晶体管)系列引线框架。
技术介绍
随着终端电子产品向轻型化和多功能化方向发展，因此要求对起着承载芯片、传递芯片产生的热量和电信号的引线框架有高的导电和导热性能。原有引线框架，特别是微小型SOT系列引线框架所用的材质是FeNi42合金，FeNi42合金的导电系数为2. 7%IACS，热导率为10W/M. K，已经不能很好地满足终端电子产品对导电性能和导热性能的要求。另有一种Cu-Fe-P系合金产品(C19400，C19210)的抗拉强度为420 500MPa，达不到高档次引线框架的技术要求，或者部分合金材料冲压引线框架时，由于材料的机械性能(抗拉强度和延伸率及硬度)较低，存在在冲压过程中断裂和变形的风险。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于提供一种新的高导电和高导热性能的Cu-Ni2-Si铜合金材料引线框架来代替现有的FeNi42合金材料的引线框架，从而实现更好的性能。一种引线框架的生产方法，包括:A)冲压、B)电镀和C)成型步骤；其中，A)冲压步骤取铜合金片材，通过高速冲床，借助冲裁模具本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种引线框架的生产方法，包括：A）冲压、B）电镀和C）成型步骤；其中，A）冲压步骤：取铜合金片材，通过高速冲床，借助冲裁模具的凸、凹模进行冲压，形成引线框架半成品，该铜合金片材的化学成分及其质量比例份数分别是：1.8～2.1%的镍，0.4～0.68%的硅，0～0.2%的铁，0～0.1%的锰，0～0.2%的锌，0～0.005%的镉，0～0.02%的铅，其中铁、锰、锌、镉和铅均为杂质成分，以及0～0.3%的其余杂质，余量为铜；该铜合金片材的抗拉强度Rm为≥600MPa，断后延伸率A11.3≥8%，维氏硬度HV≥180，导电率≥46%IACS，热导率≥190w/m.k.；B）电镀步骤:将上述的引线框...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：汪洋，林桂贤，丘文雄，彭淑合，丛艳丽，林阮彬，
申请(专利权)人：厦门永红科技有限公司，
类型：发明
国别省市：