【技术实现步骤摘要】
本技术公开一种集成电路框架结构，按国际专利分类表(IPC)划分属于半导 体引线框架制造
，尤其是涉及一种QFN集成电路框架构造。
技术介绍
集成电路弓I线框架是制造集成电路半导体元件的基本部件，在实际应用中还需要 在封装区表面电镀银层，再利用塑封进行封装固定成半导体原件，集成电路引线框架包括 通用型号QFN和QFP等，其中QFN是表面贴装型封装之一，封装四侧配置有电极触点，由于 无引脚，贴装占有面积比QFP小，高度比QFP低。现有QFN集成电路框架的电镀方法一般是是通过以下工艺来实现的化学除油一 电解除油一水洗一水洗一酸洗一水洗一酸洗一水洗一水洗一水洗一镀铜一水洗一水洗一 水洗一防置换一水洗一水洗一选择镀银一银回收一水洗一水洗一退镀一水洗一水洗一中 和一水洗一水洗一防铜氧化一水洗一水洗一水洗一烘干，这种工艺流程电镀的框架存在银 层容易氧化、发黄、长黄斑问题，影响客户的焊线、塑封，同时该电镀工艺流程电镀的银层厚 度相对厚，一般银层厚度为3um— 7um，生产成本高。本专利技术经过长期实践并结合从事框架电镀多年的经验，创作一新型引线框构造， 故才有本技术提出。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本技术提供了一种结构合理、提高引线框架银层抗氧 化能力的新型集成电路框架结构，有效改善银层发黄、长黄斑问题，同时不影响框架使用前 提下，降低生产成本。为达到上述目的，本技术是通过以下技术方案实现的—种新型集成电路框架结构，包括框架主体，其上有复数个镀银区域，各镀银区位 于框架主体的对应封装区内，其中所述的各镀银区的银层上设有银层保护膜。进一步，所述的银层保护膜为纳米...
【技术保护点】
１．一种新型集成电路框架结构，包括框架主体，其上有复数个镀银区域，其特征在于：所述的各镀银区的银层上设有银层保护膜。
【技术特征摘要】
1.一种新型集成电路框架结构，包括框架主体，其上有复数个镀银区域，其特征在于 所述的各镀银区的银层上设有银层保护膜。2.根据权利要求1所述的新型集成电路框架结构，其特征在于所述的银层保护膜为 纳米膜层以提高引线框架银...
【专利技术属性】
技术研发人员：龙海荣，林桂贤，王峰涛，彭霞，陈仲贤，
申请(专利权)人：厦门永红科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：92
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