【技术实现步骤摘要】
本专利技术公开一种半导体集成电路的引线框架一次性电镀工艺，按国际专利分类表 (IPC)划分属于集成电路芯片加工制造
，尤其是涉及一种半导体集成电路引线框架(例如QFN-四侧无引脚扁平封装)的电镀方法。
技术介绍
引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合金丝实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到和外部导线连接的桥梁作用，是电子信息产业中重要的基础材料。为了满足制造集成电路半导体元件的导电性能，集成电路的引线框架往往要在其表面局部点位区域进行电镀金属银或其他金属。目前，半导体集成电路引线框架(包括QFN封装)多排化是行业的一个发展趋势，尤其对于QFN封装的引线框架，其电极触点近，电镀要求高，而多排化框架产品进一步增加了电镀难度。申请人:的在先申请案CN101864586A公开一种引线框架的电镀方法，是将引线框架拼版的所有单元窗口的分为交错排列的2组，分别进行电镀银层，即将多排引线框架采用跳镀进行两次电镀工艺，这种电镀工艺解决了目前引线框架多排电镀的难题，但其具有以下不足1、由于同一引线框架产品需要两次电镀才能完成，生...
【技术保护点】
１．一种半导体集成电路的引线框架一次电镀工艺，其特征在于：将引线框架的各电镀单元区正对着镀头的各喷孔通电进行电镀作业，镀头内包含有喷射流道及回液流道，喷射流道的喷孔对应着引线框架的电镀单元中心区，电镀余液通过回液流道进行回收，且回液流道与喷射流道组成电镀回路一次性完成引线框架多排电镀作业。
【技术特征摘要】
1.一种半导体集成电路的引线框架一次电镀工艺，其特征在于将引线框架的各电镀单元区正对着镀头的各喷孔通电进行电镀作业，镀头内包含有喷射流道及回液流道，喷射流道的喷孔对应着引线框架的电镀单元中心区，电镀余液通过回液流道进行回收，且回液流道与喷射流道组成电镀回路一次性完成引线框架多排电镀作业。2.根据权利要求1所述的半导体集成电路的引线框架一次电镀工艺，其特征在于所述镀头的喷射流道是由喷射板、阳极板、基板及掩膜板依次叠加为一体其上的通孔构成，且基板和掩膜板的通孔大于喷射板和阳极板上的喷孔。3.根据权利要求1所述的半导体集成...
【专利技术属性】
技术研发人员：王锋涛，林桂贤，苏月来，李南生，罗壮，
申请(专利权)人：厦门永红科技有限公司，
类型：发明
国别省市：92
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