一种用于触摸屏的透明导电薄膜制备设备制造技术

本实用新型专利技术涉及一种用于触摸屏的透明导电薄膜制备设备，属于真空镀膜技术领域。它包括柔性基材、放卷室，预处理装置、6个真空室、收卷室、中频电源Ⅰ、直流电源Ⅰ、中频电源Ⅱ、中频电源Ⅲ、中频电源Ⅳ、直流电源Ⅱ、气体检测器、光谱仪探头、加热器Ⅰ、加热器Ⅱ，所述6个真空室分别为硅镀膜室Ⅰ、氧化铌镀膜室、硅镀膜室Ⅱ、硅镀膜室Ⅲ、硅镀膜室Ⅳ、ITO镀膜室，所述硅镀膜室Ⅰ、硅镀膜室Ⅱ、硅镀膜室Ⅲ、硅镀膜室Ⅳ内设置有硅靶，所述氧化铌镀膜室内设置有氧化铌靶，所述ITO镀膜室内设置有ITO靶。本实用新型专利技术通过该系统采用实时监测基材水汽含量及真空室内气体含量，可及时调整镀膜室内气体含量；采用该系统生产透明导电薄膜可有效提高生产效率。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

一种用于触摸屏的透明导电薄膜制备设备
本技术涉及一种用于触摸屏的透明导电薄膜制备设备，属于真空镀膜

技术介绍
ITO (氧化铟锡)具有优良的导电性能和可见光透过率，是一种重要的透明导电膜， 制备ITO导电膜有多种方法，一般采用直流反应磁控溅射法，靶材一般采用价格较高的烧结成的ITO(铟锡氧化物)陶瓷靶，此外还有射频溅射，但射频溅射对设备要求严格，价格较闻。从ITO薄膜的制备工艺上来讲，ITO薄膜的电阻率不仅与ITO薄膜材料的组成(包括锡含量和氧含量)有关，同时与制备ITO薄膜时的工艺条件(包括沉积时的基片温度、溅射电压等)有关。通常，反应溅射对于介质而言容易产生结瘤，打火现象，导致生产成品良率很低， 浪费人力等。
技术实现思路
为了克服上述缺陷，本技术的目的在于提供一种有效防止结瘤打火现象、提高镀膜的稳定性和效率的用于触摸屏的透明导电薄膜制备设备。为了达到上述目的，本技术采用如下技术方案一种用于触摸屏的透明导电薄膜制备设备，它包括柔·性基材、放卷室，预处理装置、6个真空室、收卷室、中频电源I、直流电源I、中频电源II、中频电源III、中频电源IV、直流电源II、气体检测器、光谱仪探头、 加热器I、加热器II，所述6个真空室分别为硅镀膜室I、氧化铌镀膜室、硅镀膜室II、硅镀膜室III、硅镀膜室IV、ITO镀膜室，所述硅镀膜室I、硅镀膜室II、硅镀膜室III、硅镀膜室IV 内设置有硅靶，所述氧化铌镀膜室内设置有氧化铌靶，所述ITO镀膜室内设置有ITO靶；中频电源I与硅镀膜室I连接，直流电源I与氧化铌镀膜室连接，中频电源II与硅镀膜室II连接，中频电源III与硅镀膜室III连接，中频电源IV与硅镀膜室IV连接，直流电源 II与ITO镀膜室连接；气体检测器放置于放卷室上方。所述每个真空室内设置有反应气体通气管道、溅射靶、工艺气体通气管道。所述溅射靶为孪生靶或者平面靶。本技术的有益效果本技术通过该系统采用实时监测基材水汽含量及真空室内气体含量，可及时调整镀膜室内气体含量；加热器I可有效去除基材表面吸附水汽，加热器II可防止低温镀膜鼓度导致基材完成镀膜后温度过低；实时监测膜层反射投射曲线可及时调整各膜层厚度及均匀性；采用中频反应磁控溅射镀制硅靶有效防止靶中毒，阳极消失及节瘤现象；采用该系统生产透明导电薄膜可有效提高生产效率。附图说明图I为本技术的结构示意图。图2为本技术单个真空室内部结构示意图。具体实施方式为了详细叙述本技术专利的上述特点，优势和工作原理，下面结合说明书附图I和2对本技术做进一步的说明，但本技术所保护的范围并不局限于此。一种用于触摸屏的透明导电薄膜制备设备，它包括柔性基材I、放卷室2，预处理装置3、6个真空室、收卷室10、中频电源I 11、直流电源I 12、中频电源II 13、中频电源 III14、中频电源IV 15、直流电源II 16、气体检测器17、光谱仪探头18、加热器I 19、加热器 II 20，所述6个真空室分别为硅镀膜室I 4、氧化铌镀膜室5、硅镀膜室II 6、硅镀膜室III 7、 硅镀膜室IV 8、ITO镀膜室9，所述硅镀膜室I 4、硅镀膜室II 6、硅镀膜室III 7、硅镀膜室IV 8 内设置有硅靶，所述氧化铌镀膜室5内设置有氧化铌靶，所述ITO镀膜室9内设置有ITO 靶；中频电源I 11与硅镀膜室I 4连接，直流电源I 12与氧化铌镀膜室5连接，中频电源II 13与硅镀膜室II 6连接，中频电源III 14与硅镀膜室III 7连接，中频电源IV 15与硅镀膜室IV 8连接，直流电源II 16与ITO镀膜室9连接；气体检测器17放置于放卷室2上方。所述每个真空室内设置有反应气体通气管道21、溅射靶22、工艺气体通气管道 23。所述溅射靶22为孪生靶或者平面靶。系统工作时，先利用真空泵(罗茨泵和旋转叶片泵)抽粗真空，再利用分子泵达到高真空，一般优于2X 10-6mbar，工艺气体由各靶位底部工艺气体通气管道23通入到镀膜室内，打开各靶位电源并设置相应功率，反应气体由反应气体通气管道21道通入，工艺气体与反应气体由气体流量计控制；根据溅射靶位功率大小设置镀膜鼓温度，一般低于-io°c;基材由放卷室向收卷室移动的同时，硅靶利用中频反应磁控溅射方式溅镀至基材表面，氧化铌及ITO利用直流反应磁控溅射方式镀至基材表面；基材进入硅镀膜室I 4之前进行预处理，即采用氩气电离加速活化基材表面以提高膜层与基材的附着力；镀膜的同时， 放卷室内利用气体检测仪检测基材是否含水汽过重，以及真空室内气体含量是否正常；基材经过ITO镀膜室9后，光谱仪对基材进行监测，根据反射投射曲线适当调整各膜层厚度。通过该系统采用实时监测基材水汽含量及真空室内气体含量，可及时调整镀膜室内气体含量；加热器I 19可有效去除基材表面吸附水汽，加热器II 20可防止低温镀膜鼓度导致基材完成镀膜后温度过低；实时监测膜层反射投射曲线可及时调整各膜层厚度及均匀性；采用中频反应磁控溅射镀制硅靶有效防止靶中毒，阳极消失及节瘤现象。以上所述实施例仅表达了本专利的一种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说， 在不脱离本专利构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本专利的保护范围应以所附权利要求为准.权利要求1.一种用于触摸屏的透明导电薄膜制备设备，它包括柔性基材(I)、放卷室(2)，预处理装置(3)、6个真空室、收卷室(10)、中频电源I (11)、直流电源I (12)、中频电源II (13)、中频电源111(14)、中频电源IV(15)、直流电源II (16)、气体检测器(17)、光谱仪探头 (18)、加热器I (19)、加热器11(20)，其特征在于所述6个真空室分别为硅镀膜室I (4)、 氧化铌镀膜室(5)、硅镀膜室II (6)、硅镀膜室111(7)、硅镀膜室IV(8)、ITO镀膜室(9)，所述硅镀膜室I (4)、硅镀膜室II (6)、硅镀膜室III(7)、硅镀膜室IV(8)内设置有硅靶，所述氧化铌镀膜室(5)内设置有氧化铌靶，所述ITO镀膜室(9)内设置有ITO靶；中频电源I (11)与硅镀膜室I (4)连接，直流电源I (12)与氧化铌镀膜室(5)连接， 中频电源II (13)与硅镀膜室II (6)连接，中频电源111(14)与硅镀膜室111(7)连接，中频电源 IV(15)与硅镀膜室IV(S)连接，直流电源II (16)与ITO镀膜室(9)连接；气体检测器(17) 放置于放卷室(2)上方。2.根据权利要求I所述的用于触摸屏的透明导电薄膜制备设备，其特征在于所述每个真空室内设置有反应气体通气管道(21)、溅射靶(22)、工艺气体通气管道(23)。3.根据权利要求2所述的用于触摸屏的透明导电薄膜制备设备，其特征在于所述溅射靶(22)为孪生靶或者平面靶。专利摘要本技术涉及一种用于触摸屏的透明导电薄膜制备设备，属于真空镀膜
它包括柔性基材、放卷室，预处理装置、6个真空室、收卷室、中频电源Ⅰ、直流电源Ⅰ、中频电源Ⅱ、中频电源Ⅲ、中频电源Ⅳ、直流电源Ⅱ、气本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于触摸屏的透明导电薄膜制备设备，它包括柔性基材（1）、放卷室（2），预处理装置（3）、6个真空室、收卷室（10）、中频电源Ⅰ（11）、直流电源Ⅰ（12）、中频电源Ⅱ（13）、中频电源Ⅲ（14）、中频电源Ⅳ（15）、?直流电源Ⅱ（16）、气体检测器（17）、光谱仪探头（18）、加热器Ⅰ（19）、加热器Ⅱ（20），其特征在于：所述6个真空室分别为硅镀膜室Ⅰ（4）、氧化铌镀膜室（5）、硅镀膜室Ⅱ（6）、硅镀膜室Ⅲ（7）、硅镀膜室Ⅳ（8）、ITO?镀膜室（9），所述硅镀膜室Ⅰ（4）、硅镀膜室Ⅱ（6）、硅镀膜室Ⅲ（7）、硅镀膜室Ⅳ（8）内设置有硅靶，所述氧化铌镀膜室（5）内设置有氧化铌靶，所述ITO?镀膜室（9）内设置有ITO靶；中频电源Ⅰ（11）与硅镀膜室Ⅰ（4）连接，直流电源Ⅰ（12）与氧化铌镀膜室（5）连接，中频电源Ⅱ（13）与硅镀膜室Ⅱ（6）连接，中频电源Ⅲ（14）与硅镀膜室Ⅲ（7）连接，中频电源Ⅳ（15）与硅镀膜室Ⅳ（8）连接，直流电源Ⅱ（16）与ITO?镀膜室（9）连接；气体检测器（17）放置于放卷室（2）上方。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李晨光，
申请(专利权)人：南昌欧菲光科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：