一种耐硫化LED封装硅胶制造技术

本发明专利技术涉及一种LED封装硅胶，特别是耐硫化的LED封装硅胶，属于胶粘剂技术领域。所述的耐硫化LED封装硅胶包括组分A和组分B，所述组分A与组分B的重量比为1:1；其中，所述组分A包括以下重量份的原料：甲基苯基乙烯基硅油50～60份、甲基乙烯基MQ树脂30～60份、铂系催化剂0.1～0.3份、粘接剂3～5份；所述组分B包括以下重量份的原料：甲基苯基乙烯基硅油40～50份、乙烯基MQ树脂30～50份，交联剂5～15份、抑制剂0.1～0.3份。本发明专利技术LED封装硅胶具有对银、PPA、玻璃等附着力优异，透光率超过98%，且因为引入含苯基官能团、支链型乙烯基及提高乙烯基MQ树脂用量，提高了交联密度，固化硬度，从而提高了封装胶层的耐硫化性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种LED封装硅胶特别是耐硫化的LED封装硅胶，属于胶粘剂

技术介绍
LED目前所用封装材料有环氧树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、玻璃、有机硅等高透明材料，其中环氧树脂与有机硅材料作为主要的封装材料，环氧树脂内应力过大，黄变，耐高低温性能差，耐老化性能差，而目前的有机硅材料，内应力小，耐高低温性能好，不黄变，透光率也高于环氧树脂，因此迅速取代环氧树脂，被广泛用于LED封装领域，但是有机硅材料特别是低折射率有机硅材料，因为使用长链的端乙烯基聚二甲基硅氧烷，分子链长，乙烯基含量低，造成交联密度低，导致胶层透气性佳，在含硫气体作用下，会部分穿透硅胶封装材料，在硅胶界面与银层发生反应，生成硫化银，导致银层发黑，光衰迅速提高。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种LED封装硅胶特别是耐硫化的LED封装硅胶。本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下：所述的耐硫化LED封装硅胶包括组分A和组分B，所述组分A与组分B的重量比为1:1；其中，所述组分A包括以下重量份的原料：甲基苯基乙烯基硅油50～60份、甲基乙烯基MQ树脂30～60份、铂系催化剂0.1～0.3份、粘接剂3～5份；所述组分B包括以下重量份的原料：甲基苯基乙烯基硅油40～50份、甲基乙烯基MQ树脂30～50份，交联剂5～15份、抑制剂0.1～0.3份。本专利技术的有益效果是：本专利技术LED封装硅胶由A、B组分组成，A组分在反应中提供苯基及多官能度乙烯基与粘接剂，B组分提供苯基、多官能度乙烯基及交联剂，本专利技术LED封装硅胶具有对银、PPA、玻璃等附着力优异，透光率超过98%，且因为引入含苯基官能团、支链型乙烯基及提高乙烯基MQ树脂用量，提高了交联密度，固化硬度，从而提高了封装胶层的耐硫化性能。在上述技术方案的基础上，本专利技术还可以做如下改进。进一步，所述的甲基苯基乙烯基硅油的粘度为1000～20000厘泊，结构式为：其中，Me为甲基，Vi为乙烯基，n1=20～50，n2=25～55，n3＝10～30采用上述进一步方案的有益效果是：作为基体树脂，对比端乙烯基聚二硅氧烷，含有部分的苯基，不影响与其他低折射率原料的相容性，引入苯基固化后降低硅胶材料的透气性，而且端基、侧基都含有乙烯基，提高了交联的密度，还可以调整不同的粘度。进一步，所述的甲基乙烯基MQ树脂的结构式为：(Me3SiO0.5)a(ViMe2SiO0.5)b(SiO2)，其中，Me为甲基，Vi为乙烯基,a=06～0.8,b=0.1～0.2。采用上述进一步方案的有益效果是：甲基乙烯基MQ树脂的加入，提高了整个硅胶的交联密度及强度，降低了硅胶的透气性。进一步，所述的甲基乙烯基MQ树脂中乙烯基的摩尔质量占含量为3-5%。进一步，所述的粘接剂含有环氧官能团，其结构式为：结构式一；或者，结构式二进一步，所述的交联剂为聚甲基氢硅氧烷。进一步，所述的铂系催化剂为氯铂酸的醇溶液、铂-乙烯基硅氧烷配合物、铂-烯烃配合物中的任意一种。进一步，所述的铂系催化剂优选铂-乙烯基硅氧烷配合物，铂的质量含量为3000～7000ppm。进一步，所述的抑制剂为乙炔基环己醇、四甲基四乙烯基环四硅氧烷或苯并三唑中的任意一种。进一步，所述的抑制剂有选为乙炔基环己醇。本专利技术所述的耐硫化LED封装硅胶的制备方包括A组分的制备步骤及B组分的制备步骤；其中，所述A组分的制备步骤如下：将重量份数为50～60份的甲基苯基乙烯基硅油、甲基乙烯基MQ树脂30～60份、催化剂0.1～0.3份、粘接剂3～5份，依次加入搅拌机内，混合搅拌均匀，即得所述A组分；所述B组分的制备步骤如下：甲基苯基乙烯基硅油40～50份、甲基乙烯基MQ树脂30～50份，交联剂5～15份、抑制剂0.1～0.3份，依次加入搅拌机内，混合搅拌均匀，即得所述B组分；使用时，将所述A组分、B组分按重量比为1:1的配比混合均匀，真空脱泡20～40分钟，点胶或灌胶于待封装件上，先在80～100℃温度下加热0.5～1.5小时，再在100～200℃加热1.5～4小时，固化即可。具体实施方式以下对本专利技术的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本专利技术，并非用于限定本专利技术的范围。实施例1A组分的制备：称取甲基苯基乙烯基硅油50g，甲基乙烯基MQ树脂44.9g，粘接剂5g（即上述结构式一），催化剂铂-乙烯基硅氧烷配合物0.1g，其中铂的质量含量7000ppm，依次加入搅拌机内，混合搅拌均匀，即得所述A组分；B组分的制备：称取甲基苯基乙烯基硅油50g，甲基乙烯基MQ树脂34.8g交联剂聚甲基氢硅氧烷15g，抑制剂乙炔基环己醇0.2g，依次加入搅拌机内，混合搅拌均匀，即得所述B组分；使用时，将所述A组分、B组分按重量比为1∶1的配比混合均匀，真空脱泡20分钟，点胶或灌胶于待封装件上，先在90℃加热1小时，再在150℃加热3小时，即可。实施例2A组分的制备：称取甲基苯基乙烯基硅油60g，甲基乙烯基MQ树脂36.7g，粘接剂3g（即上述结构式二），催化剂铂-乙烯基硅氧烷配合物0.3g，其中铂的质量含量为7000ppm，依次加入搅拌机内，混合搅拌均匀，即得所述A组分；B组分的制备：称取甲基苯基乙烯基硅油40g，甲基乙烯基MQ树脂50g，交联剂聚甲基氢硅氧烷9.8g，抑制剂乙炔基环己醇0.2g，依次加入搅拌机内，混合搅拌均匀，即得所述B组分；使用时，将所述A组分、B组分按重量比为1:1的配比混合均匀，真空脱泡20分钟，点胶或灌胶于待封装件上，先在90℃加热1小时，再在150℃加热3小时，即可。实施例3A组分的制备：称取甲基苯基乙烯基硅油53.9g，甲基乙烯基MQ树脂42g，粘接剂4g（结构式一），催化剂铂-乙烯基硅氧烷配合物0.1g，其中铂的质量含量5000ppm，依次加入搅拌机内，混合搅拌均匀，即得所述A组分；B组分的制备：称取甲基苯基乙烯基硅油45g，甲基乙烯基MQ树脂41g，交联剂聚甲基氢硅氧烷13.8g，抑制剂乙炔基环己醇0.2g，依次加入搅拌机内，混合搅拌均匀，即得所述B组分；使用时，将所述A组分、B组分按重量比为1:1的配比混合均匀，真空脱泡20分钟，点胶或灌胶于待封装件上，先在90℃加热1小时，再在150℃加热3小时，即可。对比例1A组分的制备：称取端乙烯基聚二硅氧本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种耐硫化LED封装硅胶，其特征在于，所述的耐硫化LED封装硅胶包括组分A和组分B，所述组分A与组分B的重量比为1:1；其中，所述组分A包括以下重量份的原料：甲基苯基乙烯基硅油50～60份、甲基乙烯基MQ树脂30～60份、铂系催化剂0.1～0.3份、粘接剂3～5份；所述组分B包括以下重量份的原料：甲基苯基乙烯基硅油40～50份、甲基乙烯基MQ树脂30～50份，交联剂5～15份、抑制剂0.1～0.3份。

【技术特征摘要】
1.一种耐硫化LED封装硅胶，其特征在于，所述的耐硫化LED封装
硅胶包括组分A和组分B，所述组分A与组分B的重量比为1:1；其中，
所述组分A包括以下重量份的原料：甲基苯基乙烯基硅油50～60份、
甲基乙烯基MQ树脂30～60份、铂系催化剂0.1～0.3份、粘接剂3～5份；
所述组分B包括以下重量份的原料：甲基苯基乙烯基硅油40～50份、
甲基乙烯基MQ树脂30～50份，交联剂5～15份、抑制剂0.1～0.3份。
2.根据权利要求1所述的耐硫化LED封装硅胶，所述的甲基苯基乙烯
基硅油的粘度为1000～20000厘泊，结构式为：
其中，Me为甲基，Vi为乙烯基，n1=20～50，n2=25～55，n3＝10～30。
3.根据权利要求1所述的耐硫化LED封装硅胶，其特征在于，所述的
甲基乙烯基MQ树脂的结构式为：(Me3SiO0.5)a(ViMe2SiO0.5)b(SiO2)，其中，Me
为甲基，Vi为乙烯基,a=06～0.8,b=0.1～0.2。
4.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈维，庄恒冬，王建斌，陈田安，
申请(专利权)人：烟台德邦先进硅材料有限公司，
类型：发明
国别省市：