透明膜用组合物、透明膜的形成方法和透明膜技术

本发明专利技术提供能够对经高温烧成而形成的透明膜赋予良好的抗裂性和透明性的技术。一种透明膜用组合物，所述透明膜经500℃以上的高温烧成而形成，所述组合物含有将下述通式(1)表示的第1烷氧基硅烷和下述通式(2)表示的第2烷氧基硅烷作为起始原料的缩合生成物(A)、和有机溶剂(B)，直接键与缩合生成物(A)中的硅原子键和的甲基相对于缩合生成物(A)的含量为15～25％。(CH3)nSi(OR1)4-n?(1)[通式(1)中，R1是碳原子数1～5的烷基。n是1或2的整数。多个(OR1)可以相同、也可以不同。]Si(OR2)4?(2)[通式(2)中，R2是碳原子数1～5的烷基。多个(OR2)可以相同、也可以不同]。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及透明膜用组合物、透明膜的形成方法和透明膜。
技术介绍
以往，在发光二极管(LED)等光半导体元件的制造中，已知有光半导体元件等的密封所使用的透明密封剂组合物(参照专利文献1)。专利文献1所公开的组合物含有使两末端具有硅烷醇基的聚硅氧烷与四烷氧基硅烷部分缩合物进行脱醇反应而得到的特定的烷氧基硅烷改性聚硅氧烷、和硫化促进剂。专利文献专利文献1：国际公开第2010/090280号小册子
技术实现思路
一般而言，光半导体元件等光器件、太阳能电池是利用由上述的专利文献1的组合物等形成的透明膜进行保护的。对于该透明膜，需要较高的耐久性以使其能适合作为保护膜使用。另外，当然需要较高的透明性。作为提高透明膜的耐久性的方法，可考虑在高温下将透明膜用组合物烧成而形成透明膜的方法。通过在高温下烧成组合物，从而可以将会成为透明膜的劣化的原因的组合物中的杂质燃烧除去，因此能够提高透明膜的耐久性。但是，在高温下烧成透明膜用组合物时，存在透明膜容易产生裂缝的课题。尤其是使透明膜的厚度越厚，则越容易产生裂缝。因此，透明膜用组合物需要的是抗裂性的提高。在这样的状况下，本申请的专利技术人等反复进行了认真研究，结果发现基于透明膜用组合物所含的烷氧基硅烷的缩合生成物中的、直接与硅原子键合的有机基团的种类和含量，可得到适合的抗裂性和透明性。本专利技术是基于专利技术人等的这样的认识而完成的，其目的在于提供能够对利用高温烧成而形成的透明膜赋予良好的抗裂性和透明性的技术。为了解决上述课题，本专利技术所具有的方式为透明膜用组合物，其特征在于，该透明膜经500℃以上的高温烧成而形成，其中，所述组合物含有将下述通式(1)表示的第1烷氧基硅烷和下述通式(2)表示的第2烷氧基硅烷作为起始原料的缩合生成物(A)、和有机溶剂(B)，直接与缩合生成物(A)中的硅原子键合的甲基相对于所述缩合生成物(A)的含量为15～25％。(CH3)nSi(OR1)4-n    (1)[通式(1)中，R1是碳原子数1～5的烷基。n是1或2的整数。多个(OR1)可以相同也可以不同。]Si(OR2)4            (2)[通式(2)中，R2是碳原子数1～5的烷基。多个(OR2)可以相同也可以不同。]根据该方式，能够对经高温烧成而形成的透明膜赋予良好的抗裂性和透明性。本专利技术的其它方式为透明膜的形成方法，其特征在于，该透明膜的形成方法包括：将上述方式的组合物涂布于基材的工序、和在500℃以上烧成组合物而形成透明膜的工序。本专利技术的另一种方式是透明膜，其特征在于，该透明膜是利用上述方式的透明膜的形成方法而形成的。根据本专利技术，可以提供能够对经高温烧成而形成的透明膜赋予良好的抗裂性和透明性的技术。附图说明图1(A)～图1(D)是用于说明实施方式所述的透明膜的形成方法的工序截面示意图。符号说明1、光器件，2、基材，3、透明膜用组合物层，4、加热炉，5、透明膜。具体实施方式以下，基于优选的实施方式对本专利技术进行说明。实施方式不限定专利技术，而是例示，实施方式所记述的全部特征及其组合并不一定是发明的本质内容。本实施方式的组合物是经500℃以上的高温烧成而形成的透明膜所使用的组合物(以下适合将该组合物称为透明膜用组合物)。本实施方式的透明膜用组合物含有缩合生成物(A)和有机溶剂(B)。另外，透明膜用组合物含有表面活性剂(C)作为任意成分。以下，对本实施方式的透明膜用组合物的各成分进行详细说明。<缩合生成物(A)>缩合生成物(A)是将下述通式(1)表示的第1烷氧基硅烷和下述通式(2)表示的第2烷氧基硅烷作为起始原料的缩合生成物。(CH3)nSi(OR1)4-n    (1)[通式(1)中，R1是碳原子数1～5的烷基。n是1或2的整数。多个(OR1)可以相同也可以不同。]Si(OR2)4            (2)[通式(2)中，R2是碳原子数1～5的烷基。多个(OR2)可以相同也可以不同。]以下，对第1烷氧基硅烷和第2烷氧基硅烷进行详细说明。(第1烷氧基硅烷)第1烷氧基硅烷中，上述通式(1)中的n为1时的烷氧基硅烷(i)用下述通式(3)表示。(CH3)Si(OR21)a(OR22)b(OR23)c    (3)[通式(3)中，R21、R22和R23各自独立为与上述通式(1)的R1相同的碳原子数1～5的烷基。a、b和c是满足0≤a≤3、0≤b≤3、0≤c≤3且a+b+c＝3的条件的整数。]作为上述通式(1)和(3)中的碳原子数1～5的烷基，例如可举出甲基、乙基、丙基、丁基、戊基等直链状烷基；1-甲基乙基、1-甲基丙基、2-甲基丙基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、3-甲基丁基等支链状烷基；环戊基等环状烷基。优选的是碳原子数1～3的烷基，更优选的是甲基和乙基。作为烷氧基硅烷(i)的具体例，例如可举出甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、甲基三正丙氧基硅烷、甲基三异丙氧基硅烷、甲基三正丁氧基硅烷、甲基三仲丁氧基硅烷、甲基三叔丁氧基硅烷、甲基单甲氧基二乙氧基硅烷、甲基二甲氧基单乙氧基硅烷等，其中，从反应性方面看优选甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷。上述通式(1)中的n为2时的烷氧基硅烷(ii)用下述通式(4)表示。(CH3)(CH3)Si(OR31)d(OR32)e    (4)[通式(4)中，R31和R32各自独立地表示与上述通式(1)的R1相同的碳原子数1～5的烷基。d和e是满足0≤d≤2、0≤e≤2且d+e＝2的条件的整数。]作为烷氧基硅烷(ii)的具体例，例如可举出二甲基二甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、二甲基二丙氧基硅烷、二甲基二异丙氧基硅烷、二甲基二正丁氧基硅烷、二甲基二仲丁氧基硅烷、二甲基二叔丁氧基硅烷、二甲基单甲氧基单乙氧基硅烷等，其中，从反应性方面看优选二甲基二甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷。第1烷氧基硅烷优选包含通式(1)中n为2的烷氧基硅烷、即下述通式(5)表示的烷氧基硅烷，换言之，包含上述通式(4)表示的烷氧基硅烷(ii)。(CH3)2Si(OR1)2          (5)[通式(5)中，R1是碳原子数1～5的烷基。多个(OR1)可以相同也可以不同。]通过使第1烷氧基硅烷包含上述通式(4)或通式本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种透明膜用组合物，其特征在于，所述透明膜经500℃以上的高温烧成而形成，其中，所述组合物含有将下述通式(1)表示的第1烷氧基硅烷和下述通式(2)表示的第2烷氧基硅烷作为起始原料的缩合生成物A、和有机溶剂B，直接与缩合生成物A中的硅原子键合的甲基相对于所述缩合生成物A的含量为15～25％，(CH3)nSi(OR1)4？n？？？？(1)通式(1)中，R1是碳原子数1～5的烷基，n是1或2的整数，多个(OR1)可以相同或不同，Si(OR2)4？？？？？？？？？？？(2)通式(2)中，R2是碳原子数1～5的烷基，多个(OR2)可以相同或不同。

【技术特征摘要】
2011.08.29 JP 2011-1859481.一种透明膜用组合物，其特征在于，所述透明膜经500℃以上
的高温烧成而形成，其中，
所述组合物含有将下述通式(1)表示的第1烷氧基硅烷和下述通式
(2)表示的第2烷氧基硅烷作为起始原料的缩合生成物A、和有机溶剂
B，
直接与缩合生成物A中的硅原子键合的甲基相对于所述缩合生成
物A的含量为15～25％，
(CH3)nSi(OR1)4-n    (1)
通式(1)中，R1是碳原子数1～5的烷基，n是1或2的整数，多个
(OR1)可以相同或不同，
Si(OR2)4           (2)
...

【专利技术属性】
技术研发人员：山田谷德纪，泽田佳宏，增岛正宏，岛谷聪，
申请(专利权)人：东京应化工业株式会社，
类型：发明
国别省市：