【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种硅硅键合表面沾污的处理方法，其特征在于包括以下步骤：a、制作一个与待键合硅片形状相适应的硅垫片，硅垫片表面沉积一层氮化硅薄膜；b、将硅垫片沉积氮化硅的一面与待键合硅片对准贴紧，放置于键合夹具中固定；c、将硅垫片以及待键合硅片进行预键合，预键合后揭下硅垫片；d、将预键合后的硅片进行烧结键合。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈博，郭群英，徐栋，黄斌，何凯旋，陈璞，王文婧，王鹏，汪祖民，
申请(专利权)人：华东光电集成器件研究所，
类型：发明
国别省市：
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