一种基于BCB胶的晶片级微空腔的密封方法技术

本发明专利技术公开了一种基于BCB胶的晶片级微空腔的密封方法。本发明专利技术采用先在半导体晶片上旋涂BCB胶及软烘，然后旋涂一定厚度的光刻胶，之后利用光刻胶作为掩膜分别刻蚀BCB胶和微空腔，最后将具有微空腔的半导体晶片与MEMS器件的器件晶片进行对准键合。本发明专利技术采用BCB胶作粘附剂，平整高、键合温度低，工艺实现方便，具有与集成电路兼容的特性；并采用光刻胶作为刻蚀BCB胶和微空腔的软掩膜，使得BCB胶平整性好，在键合过程中受力均匀，从而能有效降低BCB胶的形变，避免BCB胶流入腔体和粘附在MEMS器件上，提高了MEMS器件可靠性。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种晶片级微空腔的密封方法，其特征在于，所述密封方法包括以下步骤：1）炫涂BCB胶及软烘：在半导体晶片上先旋涂BCB胶，之后软烘来部分聚合化BCB胶；2）光刻形成微空腔的图形；3）刻蚀BCB胶，然后刻蚀半导体晶片，形成微空腔；4）表面有旋涂有BCB胶的微空腔的半导体晶片，与设置有MEMS器件的器件晶片进行对准并键合。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张威，苏卫国，邓康发，李宋，周浩楠，江少波，郑焕，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：