大尺寸硅单晶片表面有机物沾污的红外镜反射检测方法技术

本发明专利技术公开了一种大尺寸硅单晶片表面有机物沾污的红外镜反射检测方法。本发明专利技术使用傅立叶变换红外光谱仪对300mm大尺寸硅单晶片进行表面检测，将经碱性抛光液处理后的300mm大尺寸硅单晶片作为样品放入镜反射附件样品台，对样品进行红外扫描，得到镜反射红外光谱图，与表面洁净的硅单晶片红外反射图谱进行对比，根据图谱峰出现的位置，在波数为3400cm-1-2800cm-1和1700cm-1-1460cm-1位置处出现强吸收，表明硅单晶片表面含有抛光液残留。本发明专利技术方法在整个检测过程中不需要对样品进行任何处理，对样品不会造成任何损坏，是一种先进的无损检测方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及检测硅单晶片表面有机物方法领域，更具体的说，是一种用于检测大尺寸硅单晶片抛光处理后表面有机物的方法。
技术介绍
近年来，随着半导体产业的迅速发展，硅单晶片尺寸越来越大，应用也越来越广泛，然而硅单晶片表面有机物的污染会大大降低硅单晶片的性能，影响硅单晶片成品率，因此如何保证大尺寸硅单晶片抛光清洗后满足要求对于后序的过程具有决定性的意义。传统使用热解吸气相色谱法测定硅单晶片表面有机物，但这种方法步骤复杂，耗费时间长，检测精确性不高，并且由于仪器的限制，不能应用于大尺寸硅单晶片的表面检测。
技术实现思路
为了克服现有方法检测硅单晶片表面有机物时操作复杂，耗费时间长，检测精确度不高的不足，本专利技术使用傅里叶变换红外镜反射法对300_大尺寸硅单晶片表面进行检测。本专利技术，使用傅立叶变换红外光谱仪对300mm大尺寸硅单晶片进行表面检测，将经碱性抛光液处理后的300mm大尺寸硅单晶片作为样品放入镜反射附件样品台，对样品进行红外扫描，得到镜反射红外光谱图，与表面洁净的硅单晶片红外反射图谱进行对比，根据图谱峰出现的位置，在波数为3400cm^-2800cm^和ΠΟΟαι^-ΗβΟαιΓ本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大尺寸硅单晶片表面有机物沾污的红外镜反射检测方法，其特征是：使用傅立叶变换红外光谱仪对300mm大尺寸硅单晶片进行表面检测，将经碱性抛光液处理后的300mm大尺寸硅单晶片作为样品放入镜反射附件样品台，对样品进行红外扫描，得到镜反射红外光谱图，与表面洁净的硅单晶片红外反射图谱进行对比，根据图谱峰出现的位置，在波数为3400cm?1?2800cm?1和1700cm?1?1460cm?1位置处出现强吸收，表明硅单晶片表面含有抛光液残留。

【技术特征摘要】
1.种大尺寸硅单晶片表面有机物沾污的红外镜反射检测方法，其特征是:使用傅立叶变换红外光谱仪对300mm大尺寸硅单晶片进行表面检测，将经碱性抛光液处理后的300_大尺寸硅单晶片作为样品放入镜反射附件样品台，对样品进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘国峰，刘玉岭，檀柏梅，王娟，何彦刚，张培硕，
申请(专利权)人：河北工业大学，
类型：发明
国别省市：