一种电感结构制造技术

本发明专利技术公开了一种电感结构，包括片上电感以及位于所述片上电感下方的屏蔽层，所述屏蔽层包括至少一个屏蔽单元，所述屏蔽单元与所述片上电感所产生的涡电流方向正交，所述屏蔽单元由MOM电容结构组成，所述MOM电容结构包括一组相互平行且具有一定间隔的直角形第一金属条；以及一组相互平行且具有一定间隔的直角形第二金属条，该组第一金属条与该组第二金属条位于同层金属层且形成插指结构，所述第一金属条接电源，所述第二金属条接地。本发明专利技术充分利用片上电感下方的面积以实现稳压MOS电容的功能。

【技术实现步骤摘要】
一种电感结构
本专利技术涉及集成电路领域，特别涉及一种集成电路片上电感结构。
技术介绍
电感是射频收发机前端中的重要无源器件，射频前端收发机模块需要用到集成电感的主要有：低噪声放大器、功率放大器、振荡器、上变频混频器等。电感在这些模块中均扮演了重要的作用。以低噪声放大器为例，低噪声放大器是射频收发机中的重要模块之一，主要用于通讯系统中将接收自天线的信号放大，便于后级的接收机电路处理。正是由于噪声放大器位于整个接收机紧邻天线的最先一级，它的特性直接影响着整个接收机接收信号的质量。对于低噪声放大器来说，电感的性能直接决定了低噪声放大器的增益、噪声、阻抗匹配等。通常来说，Q值是一个电感性能的重要指标之一，较高的Q值意味着电感的储能损耗更少，也就是说电感与衬底之间的隔离较好。另外，对一个电感的评估除了电感值、Q值等常规性能指标外，在射频系统中还包括电感对其他电路的影响，如果电感本身与周围电路的隔离较好，那么在电感工作中将会不影响其他电路的工作。由于硅集成电感的面积通常较大，如何在保证电感性能的同时，加强电感与衬底、电感与其他电路的隔离，对于应用于射频前端的模块来说有着重要的意义。图1所示为现本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电感结构，包括片上电感以及位于所述片上电感下方的屏蔽层，所述屏蔽层包括至少一个屏蔽单元，所述屏蔽单元与所述片上电感所产生的涡电流方向正交，其特征在于，所述屏蔽单元由MOM电容结构组成，所述MOM电容结构包括：一组相互平行且具有一定间隔的直角形第一金属条，该组第一金属条的一端封闭相连；一组相互平行且具有一定间隔的直角形第二金属条，该组第二金属条的一端封闭相连，该组第一金属条与该组第二金属条位于同层金属层且形成插指结构，所述第一金属条接电源，所述第二金属条接地，所述第一金属条和所述第二金属条之间具有介电质。

【技术特征摘要】
1.一种电感结构，包括片上电感以及位于所述片上电感下方的屏蔽层，所述屏蔽层包括至少一个屏蔽单元，所述屏蔽单元与所述片上电感所产生的涡电流方向正交，其特征在于，所述屏蔽单元由MOM电容结构组成，所述MOM电容结构包括：一组相互平行且具有一定间隔的直角形第一金属条，该组第一金属条的一端封闭相连；一组相互平行且具有一定间隔的直角形第二金属条，该组第二金属条的一端封闭相连，该组第一金属条与该组第二金属条位于同层金属层且形成插指结构，所述第一金属条接电源，所述第二金属条接地，所述第一金属条和所述第二金属条之间具有介电质。2.根据权利要求1所述的电感结构，其特征在于，所述MOM电容结构包括多组位于不同金属层的第一金属条和多组位于不同金属层的第二金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：李琛，皮常明，田鑫，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：