本发明专利技术提供一种晶片的分离方法及分离装置，其在从呈多片晶片层叠的状态的层叠晶片组分离晶片、将分离后的晶片一片一片地移动运载到规定部位的作业中，通过尽量不对分离的晶片施加因摩擦、变形等而产生的应力而防止破损，由此能够进一步提高晶片的合格率、稳定供给晶片。该晶片的分离装置具有：水槽(2)；配设在水槽(2)的水面附近的位置的喷嘴(3)；保持层叠晶片组(7)、使层叠晶片组(7)向由水面侧的喷嘴产生的水的入水部移动的晶片供给机(4)；保持从层叠晶片组(7)分离的晶片并移动运载到规定部位的晶片移动机(5)，该喷嘴配置为：使喷出的水在水面取得空气，在水中产生含有水和多个气泡的气液混合流。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种晶片的分离方法及分离装置，更为具体地说，涉及一种将作为半导体元件的材料的晶片从呈多片晶片层叠的状态的层叠晶片组分离、将分离后的晶片逐片移动到规定部位的晶片的分离方法及分离装置。
技术介绍
在作为半导体元件的材料而使用的晶片(wafer，也称为晶圆)的制造中，通过将由硅等形成的晶锭切割成薄板状而形成呈多片晶片层叠的状态的层叠晶片组，晶片被从该层叠晶片组逐片剥开、分离。该晶片的分离作业如公众所知是一种非常困难的作业，用来分离晶片并稳定供给的装置包括例如专利文献I所述的“晶片的分离输送装置及分离输送方法”、专利文献2所述的“晶片的单片处理装置及单片处理方法”、或专利文献3所述的“从晶片堆分离晶片的方法和装置”等。专利文献I记载了如下的专利技术“具有支撑部件和分离推出单元以及喷嘴，在液体内利用支撑部件将多片晶片支撑成层叠状态，通过支撑部件的上升使多片晶片上升规定量，将位于最上部的一片晶片配置在水面附近的位置，用分离推出单元的接触端子使最上部的晶片机械性旋转并施加起动力，接着通过喷嘴对水面位置的晶片的上表面、向偏离了其中心的位置喷射水使其向一方向旋转，从其他晶片分离，向输出方向输送”。此外，专利文献2记载了如下的专利技术“通过第一吸附部件吸附保持分离晶片，并通过第二吸附部件在第一吸附部件的上方位置吸附保持所述分离晶片，使第二吸附部件的软管收缩，翻转并吸附保持分离晶片，接着用限制体按压相邻晶片的外周面上部，禁止相邻晶片随分离晶片的移动而移动，并使分离晶片向上方移动而从层叠晶片组分离，因此无需严格的间隙管理而能够从层叠晶片组切实地一片一片地单片处理晶片”。另外，专利文献3记载了如下的专利技术“在从垂直的晶片堆分离晶片的方法中，晶片通过从上方进行作用的移动单元从上方逐个输送。移动单元被制造成具有接触晶片(12)的最上部的吸引表面的旋转带，晶片(12)向吸引表面的接触因负压的吸引而加速。为了分离配置在其他晶片上的多个晶片，移动单元进行下述两个步骤中的至少一个，(a)水从斜下方喷射从而对最上部的晶片的顶端施加力。(b)移动单元(23)进行导向使晶片越过从下方与移动中的晶片的下方表面接触的剥离装置的上方，两者将晶片按压到吸引表面进行制动作用。然后，晶片向输送通路移动而向进一步处理输送。”。此外，关于(a)中喷射的水，还记载有“由于含有空气或气泡，因而不仅是水压，空气泡也能够在各个晶片间通过，其结果，消除了附着作用”。专利文献I :日本特开平9-148278号公报专利文献2 :日本特开2002-75922号公报专利文献3 :日本特表2011-507242号公报但是，如上所述，专利文献I所记载的专利技术为“用分离推出单元的接触端子使最上部的晶片机械性旋转并施加起动力，接着通过喷嘴对水面位置的晶片的上表面、向偏离了其中心的位置喷射水使其向一方向旋转”。因此，在最上部的晶片与其他晶片的接触面部移动摩擦阻力相当大，特别是利用分离推出单元起动时，由于两个晶片上受到了较大的应力，所以实际上难以使晶片圆滑地分离，可能会造成晶片破损。另外，如上所述，专利文献2所记载的专利技术为“通过第一吸附部件吸附保持分离晶片，并通过第二吸附部件在第一吸附部件的上方位置吸附保持分离晶片，使第二吸附部件的软管收缩而翻转并吸附保持分离晶片”。因此，分离晶片受到因变形而产生的较大的应力，可能会造成破损。另外，在专利文献3所记载的专利技术中，因为所述空气泡能够在各个晶片间通过、其结果，消除了附着作用，因此，与专利文献I及专利文献2所记载的专利技术相比晶片能够容易·地分离。但是，关于含有空气或气体的水喷射，因为通过将空气或气体注入到水喷射或者用于喷射水的喷嘴中而生成，因而需要压缩机、换气装置等附属设备。因此，产生因附属设备而造成的制造成本的上升以及保养维护等运行成本的问题。本专利技术的专利技术人致力于能够不设置特别的附属设备而产生水和空气的混合流体的研究，直至完成本专利技术。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于提供一种晶片分离方法及分离装置，其在从呈多片晶片层叠的状态的层叠晶片组分离晶片、将分离后的晶片一片一片地移动到规定的部位的作业中，尽量不对分离的晶片施加因摩擦、变形等产生的应力而防止破损，能够进一步提高晶片的合格率从而稳定供给晶片。为了解决上述问题，本专利技术所谋求的方式如下。(I)本专利技术为一种晶片分离方法，该方法通过使含有液体和气泡的气液混合流与在液体中的层叠晶片组的层叠面碰触，从呈多片晶片层叠的状态的所述层叠晶片组分离晶片，所述气液混合流含有的气泡，是通过向液面喷出的液体与液面进行碰撞而在气液界面被取得的气体产生的气泡。(2)根据技术方案I所述的晶片分离方法，所述气液混合流为含有气泡的喷流、与喷出到液体中的喷流合流而成，该气泡为通过向液面喷出的液体与液面进行碰撞而在气液界面被取得的气体产生的气泡。(3)根据技术方案I或2所述的晶片分离方法，所述气液混合流为相对于液面呈所需的向下倾斜角度的喷流，从而该气液混合流从液面侧与在液体中的层叠晶片组碰触。(4)根据技术方案3所述的晶片分离方法，所述层叠晶片组设置为相对于液面倾斜并使得碰触气液混合流的一侧较高，所述气液混合流的向下的倾斜角度与所述层叠晶片组的倾斜角度相同或大致相同。(5)根据技术方案4所述的晶片分离方法，使从所述层叠晶片组分离的晶片中、位于最上部的晶片移动到规定的部位。(6)根据技术方案5所述的晶片分离方法，晶片的移动通过吸附单元吸附而进行。(7)根据技术方案5或6所述的晶片分离方法，从在液体中的所述层叠晶片组分离的晶片在与设置的倾斜角度相同的倾斜方向上在液体中向液面移动，被从液体中取出到气体中。(8)本专利技术为一种晶片分离装置，通过使含有液体和气泡的气液混合流与在液体中的层叠晶片组的层叠面碰触，从呈多片晶片层叠的状态的所述层叠晶片组分离晶片，该装置具有喷出单兀，该喷出单兀使从将液体喷向液面的气体中喷出口喷至液面的液体与液面进行碰撞，从而在气液界面取得气体，使喷出液体中含有气泡。(9)根据技术方案8所述的晶片分离装置，所述喷出单元除了气体中喷出口以外还具有在液体中喷出液体的液体中喷出口，使从所述气体中喷出口向液面喷出的喷流与从所述液体中喷出口喷出的喷流合流而构成气液混合流。(10)根据技术方案9所述的晶片分离装置，所述喷出 单元为喷嘴，所述气体中喷出口与所述液体中喷出口属于相同的喷嘴或者分别属于不同的喷嘴。(11)根据技术方案10所述的晶片分离装置，所述喷嘴具有喷出口，该喷出口使所述气液混合流形成为相对于液面呈所需的向下的倾斜角度的喷流，并使该气液混合流与在液体中的层叠晶片组碰触。(12)根据技术方案10或11所述的晶片分离装置，所述喷嘴具有产生所述气液混合流的第一喷嘴、在液体中喷出液体的第二喷嘴和第四喷嘴、以及在气体中喷出液体的第三喷嘴，第一喷嘴、第二喷嘴、及第三喷嘴位于从所述层叠晶片组分离的晶片的输送方向侦牝并夹着输送路线配置在所述层叠晶片组的两侧，第四喷嘴位于所述晶片的输送方向的相反侧，并夹着所述输送路线的反向延长线配置在所述层叠晶片组的两侧。(13)根据技术方案11或12所述的晶片分离装置，所述层叠晶片组设置为相对于液面倾斜并使得碰触所述气液混合流的一侧较高，所述气液混合流的向下的倾斜角度与所述层叠晶片组的倾斜角本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种晶片分离方法，其特征在于，该方法通过使含有液体和气泡的气液混合流与在液体中的层叠晶片组的层叠面碰触，从呈多片晶片层叠的状态的所述层叠晶片组分离晶片，所述气液混合流含有的气泡，是通过向液面喷出的液体与液面进行碰撞而在气液界面被取得的气体产生的气泡。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：高田大辅，末安幸一，西田大辅，宫津匡，
申请(专利权)人：日本麦可罗尼克斯股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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