【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用于半导体的粘合剂组合物和包括该组合物的粘合剂膜。更具体地，本专利技术涉及具有两个不连续的固化带以便低温固化和高温固化同时分别进行的用于半导体的粘合剂组合物，从而能够去除半固化和后固化(PMC)或減少它们的时间；具体地，使I次循环后孔隙的比率能够减少到15%或更小，其中，在省略半固化エ艺的情况下通常形成孔隙。
技术介绍
半导体装置的高容量可在质量方面通过电路集成而获得，其中每单位面积的电池的数量是增加的，或者在数量方面通过封装而获得，其中芯片ー个在另ー个的上面彼此堆·叠。在封装技术中，通常使用几个芯片用粘合剂ー个堆叠在另ー个上面并且用引线接合彼此电连接的多芯片封装(下文中“MCP”)。当同样大小的芯片在半导体封装中在垂直方向上堆叠时，隔离物事先接合到芯片上以确保引线接合的空间。然而，在这种情况下，添加了単独的接合エ艺而带来不方便。近年来，为简化工艺，已经提议直接提供下部芯片的接合引线到粘合剂膜，该粘合剂膜将要粘附在上部芯片的下表面上。为此目的，粘合剂层具有流动性以允许接合引线在芯片接合温度(通常在100 150°C)时渗入粘合剂层。如果粘合剂层具有...
【技术保护点】
一种用于半导体的粘合剂组合物，所述粘合剂组合物在65～350℃的温度显示出两个放热峰，其中，第一放热峰在比第二放热峰低的温度出现，所述粘合剂组合物在第一放热峰带中具有由公式1计算的70～100%的固化率：[公式1][（在0循环时的热值?1次循环后的热值）/在0循环时的热值]×100%。
【技术特征摘要】
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