本发明专利技术涉及用于半导体的粘合剂组合物和包括该组合物的粘合剂膜和半导体装置。更具体地，本发明专利技术涉及具有两个分立的固化带使得低温固化和高温固化分别进行的用于半导体的粘合剂组合物，从而使半固化和成型后固化（PMC）能够去除或减少，具体地，在去除半固化工艺的情况下，能够使1次循环后使孔隙的比率能够减少到15%或更少。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用于半导体的粘合剂组合物和包括该组合物的粘合剂膜。更具体地，本专利技术涉及具有两个不连续的固化带以便低温固化和高温固化同时分别进行的用于半导体的粘合剂组合物，从而能够去除半固化和后固化(PMC)或減少它们的时间；具体地，使I次循环后孔隙的比率能够减少到15%或更小，其中，在省略半固化エ艺的情况下通常形成孔隙。
技术介绍
半导体装置的高容量可在质量方面通过电路集成而获得，其中每单位面积的电池的数量是增加的，或者在数量方面通过封装而获得，其中芯片ー个在另ー个的上面彼此堆·叠。在封装技术中，通常使用几个芯片用粘合剂ー个堆叠在另ー个上面并且用引线接合彼此电连接的多芯片封装(下文中“MCP”)。当同样大小的芯片在半导体封装中在垂直方向上堆叠时，隔离物事先接合到芯片上以确保引线接合的空间。然而，在这种情况下，添加了単独的接合エ艺而带来不方便。近年来，为简化工艺，已经提议直接提供下部芯片的接合引线到粘合剂膜，该粘合剂膜将要粘附在上部芯片的下表面上。为此目的，粘合剂层具有流动性以允许接合引线在芯片接合温度(通常在100 150°C)时渗入粘合剂层。如果粘合剂层具有低的流动性，难于避免例如引线塌陷或压缩的质量劣化。因此，具有高流动性的粘合剂用于解决具有低流动性的粘合剂的不能容纳粘合引线的问题。然而，由于由粘合剂的高流动性导致的粘合剂层的过度粘着、在芯片接合エ艺中由芯片卷曲引起的接合表面的低平整度或基板具有不规则的表面，具有高流动性的粘合剂层在粘合剂层和基板之间的界面会形成孔隙。在半固化或EMC成型中，孔隙被固定而不是被去除，引起在半导体芯片堆叠中的缺陷或在恶劣条件下的可靠性劣化。因此，虽然可建议在粘附同种类型的芯片后进行半固化，但是由于エ艺的増加，该操作不方便且引起产率的下降。具体地，半固化在150°C进行I小时，实际上I. 5 2小时的长时间，引起产率的劣化。因而，需要通过在芯片接合后減少半固化的时间或去除半固化来改善生产效率，但是半固化时间的減少引起孔隙比率増加的问题。此外，需要在175°C进行后固化(PMC)エ艺2小时以完成芯片贴装和EMC成型后的固化。因此，需要能够通过减少包括芯片贴装、EMC成型和PMC成型的一系列半导体エ艺的时间而改善生产效率，而不劣化用于半导体粘合剂的性质，从而提供高可靠性产品的粘合剂组合物。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述问题，本专利技术的ー个方面提供一种能够在芯片接合エ艺后減少或去除半固化工艺的用于半导体的粘合剂组合物，及包括所述粘合剂组合物的粘合剂膜。本专利技术的另ー个方面提供ー种在I次循环后可消除或最小化孔隙产生的用于半导体的粘合剂组合物，其中，所述孔隙通常在缩短或去除所述半固化エ艺的情况下形成；及包括所述粘合剂组合物的粘合剂膜。本专利技术的再ー个方面提供一种在芯片贴装之后的各种固化工艺后通过给予残余固化率(residual curing rate)以允许有效地去除EMC成型中的孔隙的用于半导体的粘合剂组合物，及包括所述粘合剂组合物的粘合剂膜。本专利技术的又ー个方面提供一种允许去除PMCエ艺(在175°C 2小吋)的用于半导体的粘合剂组合物，及包括所述粘合剂组合物的粘合剂膜。 本专利技术的又ー个方面提供一种也可应用于需要接合引线渗入特性的FOW的用于半导体的粘合剂组合物，及包括所述粘合剂组合物的粘合剂膜。本专利技术的又ー个方面提供ー种在EMC成型中可去除孔隙产生从而满足接合同类半导体芯片的预期的可加工性和可靠性的用于半导体的粘合剂组合物，及包括所述粘合剂组合物的粘合剂膜。本专利技术的实施方式涉及用于半导体的粘合剂组合物。在本专利技术的ー个方面中，用于半导体的粘合剂组合物在65 350°C的温度显示出两个放热峰，其中，第ー放热峰在比第二放热峰低的温度出现。此处，所述粘合剂组合物在第一放热峰带具有由公式I计算的70% 100%的固化率X100%。在这个方面，所述粘合剂组合物在第二放热峰带具有由公式I计算的0 20%的固化率。在本专利技术的另ー个方面中，所述用于半导体的粘合剂组合物在65 350°C的温度显示出两个放热峰，其中，第一放热峰在比第二放热峰低的温度出现。此处，所述粘合剂组合物在I次循环后具有15%或更少的孔隙比率在本专利技术的再ー个方面中，用于半导体的粘合剂组合物在65 350°C的温度显示出两个放热峰，其中，第一放热峰在比第二放热峰低的温度出现。此处，所述粘合剂组合物在第一放热峰带具有由公式2计算的70% 100%的峰高降低率X100%。在这个方面，所述粘合剂组合物在第二放热峰带具有由公式2计算的0 20%的峰高降低率。在这些方面中，所述第一放热峰在65 185°C的温度出现，且所述第二放热峰在155 350°C的温度出现。在这些方面中，所述粘合剂组合物可包括热塑性树脂、环氧树脂、固化剂和固化催化剂。此处，所述固化剂包括两种在不同的反应温度带中活化的固化剂，且所述固化催化剂选择性地促进在较低反应温度带中活化的固化剂的固化反应。在这些方面中，所述固化剂为酚类固化剂和胺类固化剂，且所述固化催化剂为含磷的催化剂。在这些方面中，所述酚类固化剂可为在其主链包括联苯基的ー种，具体地，所述酚类固化剂可由通式I表示权利要求1.一种用于半导体的粘合剂组合物，所述粘合剂组合物在65 350°C的温度显示出两个放热峰，其中，第一放热峰在比第二放热峰低的温度出现，所述粘合剂组合物在第一放热峰带中具有由公式I计算的70 100%的固化率 X 100%。2.如权利要求I所述的粘合剂组合物，其中，所述粘合剂组合物在第二放热峰带中具有由公式I计算的O 20%的固化率。3.如权利要求I所述的粘合剂组合物，其中，所述第一放热峰在65 185°C的温度出现，且所述第二放热峰在155 350°C的温度出现。4.如权利要求I至3的任一项所述的粘合剂组合物，其中，所述粘合剂组合物包括热塑性树脂、环氧树脂、固化剂和固化催化剂，所述固化剂包括两种在不同的反应温度带活化的固化剂，且所述固化催化剂选择性地促进在较低反应温度带中活化的固化剂的固化反应。5.如权利要求4所述的粘合剂组合物，其中，所述固化剂包括酚类固化剂和胺类固化齐U，且所述固化催化剂为含磷的催化剂。6.如权利要求5所述的粘合剂组合物，其中，所述酚类固化剂为由通式I表示的一种7.如权利要求5所述的粘合剂组合物，其中，所述胺类固化剂为由通式2表示的一种8.如权利要求5所述的粘合剂组合物，其中所述酚类固化剂与所述胺类固化剂的重量比为3 :1至I =Il09.如权利要求4所述的粘合剂组合物，进一步包括填料和硅烷偶联剂。10.一种用于半导体的粘合剂组合物，所述粘合剂组合物在65 350°C的温度显示出两个放热峰，其中，第一放热峰在比第二放热峰低的温度出现，所述粘合剂组合物在I次循环后具有15%或更少的孔隙比率。11.一种用于半导体的粘合剂组合物，所述粘合剂组合物在65 350°C的温度显示出两个放热峰，其中，第一放热峰在比第二放热峰低的温度出现，所述粘合剂组合物在第一放热峰带中具有由公式2计算的70% 100%的峰高降低率 X 100%。12.如权利要求11所述的粘合剂组合物，其中，所述粘合剂组合物在第二放热峰带中具有由公式2计算的O 20%的峰高降低率。13.如权利要本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于半导体的粘合剂组合物，所述粘合剂组合物在65～350℃的温度显示出两个放热峰，其中，第一放热峰在比第二放热峰低的温度出现，所述粘合剂组合物在第一放热峰带中具有由公式1计算的70～100%的固化率：[公式1][（在0循环时的热值?1次循环后的热值）/在0循环时的热值]×100%。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：朴白晟，宋基态，金仁焕，
申请(专利权)人：第一毛织株式会社，
类型：发明
国别省市：
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