【技术实现步骤摘要】
本技术涉及有机发光显示领域，尤其涉及一种移位寄存器单元、移位寄存器和显示装置。
技术介绍
随着平板显示的发展，高分辨率，窄边框成为发展的潮流，而要实现高分辨率，窄边框显示，面板上集成栅极驱动电路是最重要的解决办法。对于a-si (非晶硅)和p-si (多晶硅)技术，现有的各种成熟移位寄存电路可以很好的实现这个目标。氧化物TFT (晶体管)作为一种非常有潜力的半导体技术，相比于p-si工艺更简单，成本更低，相比于a-si迁移率更高，因而越来越受到重视，未来很可能是OLED (有机发光二极管)，柔性显示的主流背板驱动技术。然而氧化物TFT是一种耗尽型晶体管，而前面提到的a-si TFT和p-si TFT为 增强型的晶体管。图I为传统的基本的移位寄存器单元的电路图。如图I所示，该基本的移位寄存器单元包括上拉薄膜晶体管Tl、下拉薄膜晶体管T2、自举电容Cl、上拉控制薄膜晶体管T3、下拉控制薄膜晶体管T4、存储电容C2、第一时钟信号输入端CK、第二时钟信号输入端CKB、输入端Input、复位端Reset和输出端Output ；上拉节点(PU点)为与Tl的栅极连接的节点，下...
【技术保护点】
一种移位寄存器单元，其特征在于，包括：用于在求值阶段将上拉节点上拉到高电平，而在复位阶段下拉到第一低电平的第一输出控制模块，其与上拉节点连接；用于在复位阶段和非工作阶段将下拉节点上拉到高电平的第二输出控制模块，其与下拉节点连接；用于通过分级输出进位信号和驱动信号，而使得在所述驱动信号在求值阶段维持高电平而在复位阶段、预充电阶段和非工作阶段维持低电平的分级输出模块，分别与上拉节点、下拉节点、进位信号输出端和驱动信号输出端连接；用于在求值阶段通过所述第一输出控制模块维持所述上拉节点的电平为高电平的上拉节点电平维持电容，连接于所述第一低电平输出端与所述第一薄膜晶体管的源极之间。
【技术特征摘要】
1.一种移位寄存器单元，其特征在于，包括 用于在求值阶段将上拉节点上拉到高电平，而在复位阶段下拉到第一低电平的第一输出控制模块，其与上拉节点连接； 用于在复位阶段和非工作阶段将下拉节点上拉到高电平的第二输出控制模块，其与下拉节点连接； 用于通过分级输出进位信号和驱动信号，而使得在所述驱动信号在求值阶段维持高电平而在复位阶段、预充电阶段和非工作阶段维持低电平的分级输出模块，分别与上拉节点、下拉节点、进位信号输出端和驱动信号输出端连接； 用于在求值阶段通过所述第一输出控制模块维持所述上拉节点的电平为高电平的上拉节点电平维持电容，连接于所述第一低电平输出端与所述第一薄膜晶体管的源极之间。2.如权利要求I所述的移位寄存器单元，其特征在于，所述第一输出控制模块包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管，栅极和漏极与所述输入端连接，源极与所述第二薄膜晶体管的漏极连接；所述第二薄膜晶体管，栅极与所述输入端连接，源极与所述上拉节点连接；所述第三薄膜晶体管，栅极与复位端连接，源极分别与所述第四薄膜晶体管的漏极和第一薄膜晶体管的源极连接，漏极与所述上拉节点连接；所述第四薄膜晶体管，栅极与所述复位端连接，源极与第一低电平输出端连接。3.如权利要求2所述的移位寄存器单元，其特征在于，所述分级输出模块包括 用于在预充电阶段、复位阶段和非工作阶段在所述第一输出控制模块和第二输出控制模块的控制下使得进位信号输出端输出第一低电平，并在求值阶段在所述第一输出控制模块和第二输出控制模块的控制下使得进位信号输出端输出高电平的进位输出单元，分别与所述第一输出控制模块、所述第二输出控制模块和所述进位信号输出端连接； 用于在求值阶段在所述第一输出控制模块和第二输出控制模块的控制下使得驱动信号输出端输出高电平，并在预充电阶段、复位阶段和非工作阶段在所述第一输出控制模块和第二输出控制模块的控制下使得驱动信号输出端输出第二低电平的驱动输出单元，分别与所述第一输出控制模块、所述第二输出控制模块和所述驱动信号输出端连接。4.如权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：青海刚，祁小敬，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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