用于处理工具中低颗粒数的气流管理制造技术

在本文所描述的各种示例性实施方式中，一种在衬底生产工具中提供气流管理系统的系统和相关的方法，其包括：外壳，该外壳将衬底生产工具耦合连接到风机过滤器单元以提供过滤空气给该外壳；将衬底生产工具耦合连接到减压排放机构的设施连接件；耦合连接在外壳下方并与设施连接气流连通的衬底传输部；以及通过一个或多个衬底传输槽耦合连接到衬底传输部的衬底处理区域。室基本上包括衬底传输部和衬底处理区域，该室耦合连接到外壳上以接受过滤的空气，并与设施连接件相连接以造成过剩气体流的排出。相对于衬底传输部该室在衬底处理区域保持相对低的压强。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总体涉及半导体处理领域，并在特定的示例性实施方式中，涉及在处理室中控制颗粒数的系统和方法。
技术介绍
在半导体器件的制造中，经常将一些处理室进行连接以容许晶片或衬底例如在连接室之间的传输。通常利用使晶片移动例如通过槽或端口的传输模块执行该传输，该槽或端口设置在连接室的相邻壁中。传输模块通常结合各种晶片处理模块(PM)使用，PM可包括半导体蚀刻系统、材料沉积系统和平板显示器蚀刻系统。由于这些半导体器件几十年前就开始推行，其几何(S卩，集成电路设计规则)尺寸·已经显著减小。在处理室中制作的集成电路(IC)一般都遵循着“摩尔定律”，其意指装入单个集成电路芯片的器件的数量每两年增加一倍。当代IC制造设施(“工厂”)常规地制作65纳米(O. 065微米)特征尺寸的器件和更小特征尺寸的器件。未来的工厂将生产更小特征尺寸的器件。污染和颗粒的预期数量随着减小的特征尺寸相应地减少，甚至单个的30纳米的颗粒会对给定的IC造成致命缺陷。也许更重要的是，从基于产率和成本的角度来看，在制造工艺中使用的设备类型(例如，处理工具)正成为主要的技术驱动力。制造工艺必须是有效的，但它也必须是快速的且没有增本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：艾瑞克·H·伦兹，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：
国别省市：