减少在处理工具中通过移动机构所产生的颗粒污染制造技术

在本文所描述的各种示例性实施方式中，公开了一种系统和相关的方法以减少衬底上的颗粒污染。该系统包括：衬底横移件机构，其具有导轨以传输衬底载体；一个或者多个横移件管道，其至少部分地围绕所述一个或多个导轨安置。所述一个或多个管道沿着所述导轨的长度的至少有效部分具有狭缝。横移件排气风机耦合连接到所述一个或多个横移件管道中的每一个的一端，所述风机提供充足的体积气流以使通过所述狭缝的所述体积气流的速率高于预定颗粒大小的最终沉降速率。所述风机进一步抽吸小于约所述预定颗粒大小的由所述衬底横移件机构产生的颗粒进入所述一个或多个横移件管道。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总体涉及半导体处理领域，并在特定的示例性实施方式中，涉及在处理室中控制颗粒数的系统和方法。
技术介绍
在半导体器件的制造中，经常将一些处理室进行连接以容许晶片或衬底例如在连接室之间的传输。通常利用使晶片移动例如通过槽或端口的传输模块执行该传输，该槽或端口设置在连接室的相邻壁中。传输模块通常结合各种晶片处理模块(PM)使用，PM可包括半导体蚀刻系统、材料沉积系统和平板显示器蚀刻系统。由于这些半导体器件几十年前就开始推行，其几何(S卩，集成电路设计规则)尺寸已经显著减小。在处理室中制作的集成电路(IC)一般都遵循着“摩尔定律”，其意指装入单·个集成电路芯片的器件的数量每两年增加一倍。当代IC制造设施(“工厂”)常规地制作65纳米(O. 065微米)特征尺寸的器件和更小特征尺寸的器件。未来的工厂将生产更小特征尺寸的器件。污染和颗粒的预期数量随着减小的特征尺寸相应地减少，甚至单个的30纳米的颗粒会对给定的IC造成致命缺陷。也许更重要的是，从基于产率和成本的角度来看，在制造工艺中使用的设备类型(例如，处理工具)正成为主要的技术驱动力。制造工艺必须是有效的，但它也必须是快速的且没有增本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：艾瑞克·H·伦兹，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：
国别省市：