一种金属-氧化物-金属电容的制造方法技术

本发明专利技术提供一种MOM电容的制造方法，其包括在晶圆基底上，沉积以High-K介质作为材料的第一绝缘介质层；通过光刻和刻蚀定义第一绝缘介质层介质图形；在晶圆表面沉积以常规介质或low-k介质作为材料的第二绝缘介质层；使用化学机械抛光研磨第二绝缘介质层和第一硬掩膜介质层；通过光刻和刻蚀定义第一绝缘介质层和第二绝缘介质层中的凹槽区域；在所述凹槽区域中填充金属，形成金属连线和MOM电容的第一指状极板和第二指状极板。因此，通过本发明专利技术的方法，可以将具有high-k第一绝缘介质层的MOM电容集成到采用常规或者low-k介质的后道互连工艺中，从而在实现大容量集成电容的时候并不影响金属连线的RC寄生延迟。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，尤其涉及一种金属-氧化物-金属(metal-oxide-meter,简称Μ0Μ)电容的制造方法。
技术介绍
在半导体集成电路中，与晶体管电路制作在同一芯片上的集成电容被广泛地应用。其形式主要有金属_绝缘体-金属(metal-insulator-metal,简称MIM)和MOM电容两种，其中，MIM电容使用上下层金属作为电容极板，电容量主要由电容所占面积决定，因此，在需要大电容的场合中使用MM电容会引起成本大大增加 ；而MOM电容采用指状结构和叠层相结合的方法可以在相对较小的面积上制作容量更大的电容，因此，在设计大容量集成电容时设计者更青睐这类电容。MOM电容是同时利用了同一金属层内介质层电容和上下层金属层间介质层电容，而大大地提高了面积利用率和电容量，其中，同一金属层内介质层产生的电容与层间介质k值、金属层深度和金属极板长度成正比，与金属间距成反比；上下层金属层间介质层产生的电容与层间介质k值、上下层金属极板重叠面积成正比，与层间介质厚度成反比。在一般的后道互连工艺中，金属层深度和介质层厚度不会轻易改变，金属间距会受到设计规则限定，因此，增加电容量的方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金属？氧化物？金属电容（MOM）的制造方法，其中，所述MOM电容（102）采用指状结构，与后道金属连线区域（101）制作在同一金属层中；所述MOM电容（102）的指状结构，由第一电极（13）和第二电极（14）组成，并且，第一电极（13）由多根相互平行的第一指状极板（11）单端相连而形成，第二电极（14）由多根相互平行的第二指状极板（12）单端相连而形成；所述第一电极（13）和第二电极（14）之间具有第一绝缘介质层（3），所述MOM电容（102）的其他区域以及所述金属连线区域（101）内部具有第二绝缘介质层（5）；其特征在于，所述的方法包括如下步骤：步骤S01：在晶圆基底上，沉积所述第一绝缘...

【技术特征摘要】
1.一种金属-氧化物-金属电容(MOM)的制造方法，其中， 所述MOM电容(102)采用指状结构，与后道金属连线区域(101)制作在同一金属层中；所述MOM电容(102)的指状结构，由第一电极(13)和第二电极(14)组成，并且，第一电极(13)由多根相互平行的第一指状极板(11)单端相连而形成，第二电极(14)由多根相互平行的第二指状极板(12)单端相连而形成； 所述第一电极(13)和第二电极(14)之间具有第一绝缘介质层(3),所述MOM电容(102)的其他区域以及所述金属连线区域(101)内部具有第二绝缘介质层(5)； 其特征在于，所述的方法包括如下步骤 步骤SOl :在晶圆基底上，沉积所述第一绝缘介质层(3);所述晶圆基底包含衬底(I)和制作在所述衬底(I)之上的包含晶体管在内的器件层(2)，及N层的金属层，其中，N为大于等于零的整数；然后，在所述第一绝缘介质层(3)上沉积一层第一硬掩膜介质层(4)，所述 第一绝缘介质层(3)以High-K介质作为材料； 步骤S02 :在所述硬掩膜介质层上涂布光刻胶，通过光刻和刻蚀定义第一绝缘介质层(3)介质图形； 步骤S03 :在晶圆表面沉积所述第二绝缘介质层(5);其中，所述第二绝缘介质层(5)以常规介质或low-k介质作为材料； 步骤S04:研磨所述第二绝缘介质层(5)和第一硬掩膜介质层(4)，...

【专利技术属性】
技术研发人员：全冯溪，周伟，蒋宾，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：