电容及金属－氧化物－金属电容制造技术

本发明专利技术提供一种电容及金属－氧化物－金属电容。金属－氧化物－金属电容包括：第一垂直金属板，连接第一端；第二垂直金属板，与所述第一垂直金属板紧密相邻，且所述第二垂直金属板连接第二端；第三垂直金属板，与所述第一垂直金属板紧密相邻，且所述第三垂直金属板置于所述第一垂直金属板的与所述第二垂直金属板相对的一侧，且所述第三垂直金属板与第三端连接；至少一个氧化层，置于所述第一垂直金属板、所述第二垂直金属板和所述第三垂直金属板之间。利用本发明专利技术能更有效节省芯片面积，减小电路平面布置，且具有更好的电气性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关于半导体电容，更具体地，有关于紧凑的三端或多端金属-氧化物-金 属(metal-oxide-metal, MOM)电容。
技术介绍
无源元件(例如电容)广泛使用于集成电路设计中以用于射频和混合信号的应用 (例如旁路、级间耦合)以及广泛使用于谐振电路和滤波器中。其中最常使用的一种电容即 MOM电容。图1为示范的MOM电容示意图。如图1所示，MOM电容10包括在多个金属层中 形成的交叉指形多指条(interdigitated multi-fingers) 12和14。在由金属层间绝缘 层(inter-metal dielectrics)分隔的垂直后端工艺(back end of line, BEOL)堆叠 (stack)中，交叉指形多指条可选择性的由过孔(vias)16和18连接。MOM电容的制造过程 可与连接过程相结合，因此，不需要额外的光掩模(photo mask) 0举例而言，通常与集成电 路中铜多层连接布线(multilevel connection metallization)技术共同使用的双镶嵌 (dual-damascene)技术可用于构造成堆的填铜过孔和沟本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金属－氧化物－金属电容，包括：第一垂直金属板，连接第一端；第二垂直金属板，与所述第一垂直金属板紧密相邻，且所述第二垂直金属板连接第二端；第三垂直金属板，与所述第一垂直金属板紧密相邻，且所述第三垂直金属板置于所述第一垂直金属板的与所述第二垂直金属板相对的一侧，且所述第三垂直金属板与第三端连接；以及至少一个氧化层，置于所述第一垂直金属板、所述第二垂直金属板和所述第三垂直金属板之间。

【技术特征摘要】
US 2009-6-3 12/477,139一种金属 氧化物 金属电容，包括第一垂直金属板，连接第一端；第二垂直金属板，与所述第一垂直金属板紧密相邻，且所述第二垂直金属板连接第二端；第三垂直金属板，与所述第一垂直金属板紧密相邻，且所述第三垂直金属板置于所述第一垂直金属板的与所述第二垂直金属板相对的一侧，且所述第三垂直金属板与第三端连接；以及至少一个氧化层，置于所述第一垂直金属板、所述第二垂直金属板和所述第三垂直金属板之间。2.根据权利要求1所述的金属_氧化物_金属电容，其特征在于，所述第一端、所述第 二端和所述第三端为集成电路的三个不同端子。3.根据权利要求1所述的金属_氧化物_金属电容，其特征在于，在所述第一垂直金属 板和所述第二垂直金属板之间或者在所述第一垂直金属板和所述第三垂直金属板之间的 距离大致为最小设计规则。4.根据权利要求1所述的金属_氧化物_金属电容，其特征在于，所述第一垂直金属 板、所述第二垂直金属板和所述第三垂直金属板中的每一个均由堆叠的金属条组成。5.根据权利要求4所述的金属-氧化物-金属电容，其特征在于，通过过孔连接所述堆 叠的金属条。6.根据权利要求1所述的金属_氧化物_金属电容，其特征在于，所述第二垂直金属板 与所述第三垂直金属板大致并列放置。7.根据权利要求1所述的金属_氧化物_金属电容，其特征在于，所述第二垂直金属板 与所述第三垂直金属板大致以对角线错位放置。8.根据权利要求1所述的金属_氧化物_金属电容，其特征在于，所述第二垂直金属板 与连接于所述第二端的第四垂直金属板大致并列放置，所述第四垂直金属板与位于所述第 一垂直金属板同一侧的所述第三垂直金属板大致对齐。9.一种金属-氧化物-金属电容，包括第一垂直金属板；第二垂直金属板，与所述第一垂直金属板平行，其中，所述第一垂直金属板和所述第二 垂直金属板均连接于第一端；第一分段金属板，位于所述第一垂直金属板和所述第二垂直金属板之间，且所述第一 分段金属板连接于第二端；以及第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：林哲煜，
申请(专利权)人：联发科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]