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本发明提供一种MOM电容的制造方法，其包括在晶圆基底上，沉积以High-K介质作为材料的第一绝缘介质层；通过光刻和刻蚀定义第一绝缘介质层介质图形；在晶圆表面沉积以常规介质或low-k介质作为材料的第二绝缘介质层；使用化学机械抛光研磨第二绝缘...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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