【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种激光器及其制作方法，特别是涉及一种基于BCB键合工艺的混合集成激光器及其制作方法。
技术介绍
硅基光互连技术旨在采用CMOS技术生产开发硅光子器件，将硅基光子器件和电路集成在同一硅片上，是发展大容量、高性能并行处理计算机系统和通信设备的必然途径。将微电子技术和光子技术结合起来，开发光电混合的集成电路。在集成电路内部和芯片间引入集成光路，既能发挥光互连速度快、无干扰、密度高、功耗低等优点，又能充分利用微电 子工艺成熟、高密度集成、高成品率、成本低等特点，是最有可能代替金属互连的方案之一。单片集成方案由于集成度高，成本低，是硅基光互连的发展方向。但由于硅是间接带隙材料，难以制作发光器件，目前的单片集成硅基光互连方案大多采用键合技术将三五族外延片与SOI片键合后进行加工，制作半导体激光器。在众多结构的激光器中，微盘激光器以其面积小、易加工而被广泛关注，但由于散热性能差及谐振结构特殊，故光输出功率较低。本专利技术提出了一种新的结构设计，能有效地提高散热效率和提高光输出功率。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种基于BCB键合工艺的...
【技术保护点】
一种基于BCB键合工艺的混合集成激光器的制作方法，其特征在于，所述制作方法至少包括以下步骤：1）提供一包括硅衬底、埋氧层及硅波导结构的SOI基光波导芯片及一包括底接触层、有源层、隧道结及顶接触层的Ⅲ？Ⅴ族激光器外延层，于所述SOI基光波导芯片表面形成BCB覆层，并通过该BCB覆层键合所述SOI光波导芯片及所述Ⅲ？Ⅴ族激光器外延层；2）采用干法刻蚀工艺制作贯穿所述Ⅲ？Ⅴ族激光器外延层、BCB覆层及埋氧层的热沉通孔，于所述热沉通孔内淀积多晶硅热沉并采用化学机械抛光方法去掉多余的多晶硅；3）采用干法刻蚀工艺刻蚀所述Ⅲ？Ⅴ族激光器外延层，去除部分的顶接触层、隧道结及有源层，制作微盘...
【技术特征摘要】
1.一种基于BCB键合工艺的混合集成激光器的制作方法，其特征在于，所述制作方法至少包括以下步骤 O提供一包括娃衬底、埋氧层及娃波导结构的SOI基光波导芯片及一包括底接触层、有源层、隧道结及顶接触层的III - V族激光器外延层，于所述SOI基光波导芯片表面形成BCB覆层，并通过该BCB覆层键合所述SOI光波导芯片及所述III - V族激光器外延层； 2)采用干法刻蚀工艺制作贯穿所述III- V族激光器外延层、BCB覆层及埋氧层的热沉通孔，于所述热沉通孔内淀积多晶硅热沉并采用化学机械抛光方法去掉多余的多晶硅； 3)采用干法刻蚀工艺刻蚀所述III- V族激光器外延层，去除部分的顶接触层、隧道结及有源层，制作微盘谐振腔； 4)采用湿法刻蚀工艺刻蚀底接触层获得底接触平台； 5)于上述结构表面形成隔离层，刻蚀所述隔离层，形成与所述多晶硅及顶接触层对应的第一通孔及与所述底接触层平台对应的第二通孔，最后于所述第一通孔内制作与所述多晶硅热沉及顶接触层连接的顶电极，并同时于所述第二通孔内制作与所述底接触层连接的底电极。2.根据权利要求I所述的基于BCB键合工艺的混合集成激光器的制作方法，其特征在于所述娃波导结构为条形娃波导结构。3.根据权利要求I所述的基于BCB键合工艺的混合集成激光器的制作方法，其特征在于所述有源层包括依次层叠的第一限制层、多量子阱、第二限制层以及P型结。4.根据权利要求I所述的基于BCB键合工艺的混合集成激光器的制作方法，其特征在于步骤2)中采用增强型等离子气相沉积工艺及化学机械抛光工艺于所述热沉通孔内填充多晶硅热沉。5.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：盛振，王智琪，甘甫烷，武爱民，王曦，邹世昌，
申请(专利权)人：江苏尚飞光电科技有限公司，中科院南通光电工程中心，中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：
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