一种GaN衬底激光二极管的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种GaN衬底激光二极管的制造方法，其包括形成GaN衬底以及依次沉积p型包覆层、p型光导层、有源层、n型阻挡层、n型光导层和n型包覆层。其中形成GaN衬底的方法包括将GaN晶片放入高温高压装置中，对GaN晶片加热的同时加压，加热温度为820～880℃，加压压力为4.1~4.6GPa，保持10～15分钟；停止加热加压，使GaN晶片恢复至常温常压；在高温高压装置中退火20～30分钟后，取出GaN晶片。该方法可以明显的减小激光二极管衬底中的晶体缺陷密度，提高激光二极管的性能和寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种激光二极管的制造方法。
技术介绍
激光二极管(LD)是一种由半导体材料形成二极管，其基本结构包括衬底以及依次沉积在衬底上的P/N型包覆层、有源层和P/N型包覆层，以及N型和P型包覆层上的欧姆接触。衬底作为LD这座大厦的地基，具有重要的作用。蓝宝石是一种常用的LD衬底，但由于其与其上的异相外延层的晶格和热应力失配，发热后由于膨胀程度不同会崩裂，导致器件损坏。另外一类LD衬底包括GaN，GaAs, InP等半导体材料。作为衬底的上述半导体材料中一般都会包括各种缺陷，例如位错、间隙或空位等，缺陷会引起晶体应变，应变会造成衬底上外延层的品质及性能降低，导致激光二极管的寿命缩短。多年来，随着半导体技术的发展，经过本领域技术人员的长期研究和实践，形成了较为完善的晶体生长工艺流程，减少了 半导体衬底材料生长过程中形成的缺陷密度。但是，人们还希望得到缺陷密度更低的衬底，制得性能更佳、寿命更长的激光二极管。如何进一步减少或消除缺陷成为本领域急需解决的问题。
技术实现思路
为了克服现有技术中存在的缺陷，本专利技术提供了，该方法可以明显的减小激光二极管衬底中的晶体缺陷密度，提高激光二极管的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种GaN衬底激光二极管，包括p？GaN衬底，在衬底上依次沉积有p型包覆层、p型光导层和有源层，其特征在于，P型包覆层是p？AlaInbGa1？a？bN，其中0≤a，b，a+b≤1；p型光导层为p？AlcIndGa1？c？dN，其中0≤c，d，c+d≤1；有源层是超晶格结构的p？AleInfGa1？e？fN/p？AIgInhGa1？g？hN多量子阱层，其中0≤e，f，g，h，e+f，g+h≤1。

【技术特征摘要】
1.一种GaN衬底激光二极管，包括P-GaN衬底，在衬底上依次沉积有ρ型包覆层、P型光导层和有源层，其特征在于， P型包覆层是P-AlaInbGa1IbN,其中O彡a, b, a+b彡I ; P 型光导层为 P-AleIndGa1-^dN,其中 O ^ c, d, c+d ( I ； 有源层是超晶格结构的P-AUnfGa1IfNziP-AIgInhGa1IhN多量子阱层，其中O ( e,f,g,h,e+f, g+h ^ I ο2.如权利要求I所述的GaN沉积激光二极管，其特征在于，在有源层上还依次沉积有η型阻挡层、η型光导层和η型包覆层。3.如权利要求2所述的GaN沉积激光二极管，其特征在于，η型阻挡层是n-AlJrijGaH-jN, η 型光导层是 Ii-AlkIn1GahHN, η 型包覆层是 n_AlmInnGa卜m_nN,其中 0<i,j, k, I, m, n, i+j, k+...

【专利技术属性】
技术研发人员：虞浩辉，周宇杭，
申请(专利权)人：江苏威纳德照明科技有限公司，
类型：发明
国别省市：