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本发明公开了一种GaN衬底激光二极管的制造方法，其包括形成GaN衬底以及依次沉积p型包覆层、p型光导层、有源层、n型阻挡层、n型光导层和n型包覆层。其中形成GaN衬底的方法包括将GaN晶片放入高温高压装置中，对GaN晶片加热的同时加压，加热...
该专利属于江苏威纳德照明科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏威纳德照明科技有限公司授权不得商用。

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