【技术实现步骤摘要】
本专利技术设计利用气相传输法或水热法制备高品质单晶ZnO微米棒，分离出单根ZnO微米棒并将之与有缓冲层的P型GaN结合，经过对缓冲层的处理，与GaN形成接触良好的Pn结，接着在其表面溅射一层无机透明绝缘薄膜，其次利用反应离子刻蚀或者光刻技术使ZnO微米棒表面暴露，最后将石墨烯转移到ZnO微米棒表面作为电极，并在P型GaN表面制备电极，形成完整的器件。以上述方法和工艺流程获得的发光Pn结能够获得高品质的电泵紫外回音壁模激光。
技术介绍
自日本科学家和美国科学家相继发现了 ZnO薄膜和纳米线中的紫外光辐射以来，ZnO成为设计紫外激光器的理想材料。ZnO微纳米结构中的紫外激射模式可以分为三种随机激光、法布里珀罗(F-P)激光、回音壁模激光。在随机激光中，相干反馈是靠回程散射自·发形成的，由于晶体边界散射严重造成光路中的光学损耗大，因此随机激射阈值十分高，并且激射模式不固定。F-P型激光其工作原理类似于传统的F-P腔激光器，两平行面相当于两个腔镜，然而由于ZnO两端界面处反射率较低，因此F-P模激射的阈值也比较高。回音壁模激射是利用光路在ZnO六边形微米棒中内不断全反射形成的，...
【技术保护点】
一种构筑电泵浦回音壁模ZnO紫外微激光器的制备方法，其特征在于该制备方法为第一步：将纯度均为99.00～99.99％的ZnO粉末和碳粉末按照质量比1∶1～1∶2.5混合研磨，取该混合物填入陶瓷舟内；将与陶瓷舟开口面积大小的硅片经丙酮、无水乙醇和去离子水依次超声清洗后，用氮气吹干，将硅片抛光面朝下覆盖与陶瓷舟上方，随后将陶瓷舟推入温度为1000～1200摄氏度的管式炉中，经过30～60分钟反应，ZnO微米棒阵列生长于硅片表面，第二步：将p型GaN经丙酮、无水乙醇和去离子水依次超声清洗后，用氮气吹干，利用磁控溅射在p型GaN其表面制备一层厚度20～30纳米的金属锌膜，第三步：从...
【技术特征摘要】
1.一种构筑电泵浦回音壁模ZnO紫外微激光器的制备方法,其特征在于该制备方法为 第一步将纯度均为99. 00 99. 99%的ZnO粉末和碳粉末按照质量比I : I I : 2.5混合研磨，取该混合物填入陶瓷舟内；将与陶瓷舟开口面积大小的硅片经丙酮、无水乙醇和去离子水依次超声清洗后，用氮气吹干，将硅片抛光面朝下覆盖与陶瓷舟上方，随后将陶瓷舟推入温度为1000 1200摄氏度的管式炉中，经过30 60分钟反应，ZnO微米棒阵列生长于娃片表面， 第二步将P型GaN经丙酮、无水乙醇和去离子水依次超声清洗后，用氮气吹干，利用磁控溅射在P型GaN其表面制备一层厚度20 30纳米的金属锌膜， 第三步从ZnO微米棒阵列中挑选单根ZnO微米棒,将之平放转移到第二步制备好的金属锌薄膜表面，随后将之放置于管式炉中在氧氛围中退火I I. 5小时，退火温度是450 500摄氏度，使得20 30纳米厚度的金属锌膜完全成为ZnO膜，该层ZnO薄膜将上层ZnO微米棒和下层P型GaN有效地连接在一起形成了良好的pn结， 第四步利用磁控溅射GaN衬底表面镀上一层无机透明绝缘层薄膜，厚度为5 8微米，覆盖ZnO微米棒， 第五步采用光刻对透明绝缘薄膜进行刻蚀，刻蚀厚度约I 2微米，使ZnO微米棒表面暴露， 第六步将石墨烯转移到GaN表面，覆盖ZnO微米棒，使石墨烯和ZnO微米棒良好的电极接触， 第七步通过电子束蒸镀方法，在P型GaN表面制备20 30纳米厚度的Ni-Au电极，最终制备完整的石墨烯/n型ZnO微米棒/p型GaN异质结微激光器。2.—种构筑电泵...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐春祥，朱刚毅，理记涛，田正山，石增良，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：
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