一种选择性发射极电池片掩膜的制备方法技术

本发明专利技术公开一种选择性发射极电池片掩膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：(1)将硅片完全浸没在有机硅凝胶溶液中，浸泡时间为5s；(2)取出步骤(1)浸泡过有机硅凝胶溶液的电池片晾干，晾干时间为1~3min；(3)将步骤(2)得到的电池片进行烘烤，烘烤温度50~300℃，烘烤时间为3~8min，即得到电池片掩膜。本发明专利技术所用的有机硅凝胶制备二氧化硅掩膜方法缩短了传统的制作周期，制作出的二氧化硅掩膜层结构致密且均匀，阻挡磷扩散效果优于热氧化法制备的二氧化硅层，同时该新制备方法减少了设备及原料的投入成本。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种选择性发射极太阳能电池的掩膜的制作工艺，尤其晶硅电池片制作工艺，具体地说是一种晶硅太阳能选择性发射极电池片掩膜的制备方法。
技术介绍
当前选择性发射极电池技术上有多种实现方法，有激光扩散法、印刷磷浆法、硅墨技术、腐蚀扩散掩膜层等方法。其中激光扩散法需要使用到激光或电镀设备，工序复杂，设备稳定性难以控制；印刷磷浆法对磷浆要求高，目前磷浆容易高温挥发，选择性不佳；硅墨技术同样需要增加大量新设备，成本较高。不利于高效选择性发射极电池的产业化。目前采用腐蚀扩散掩膜层制备的选择性发射极电池大多采用二氧化硅掩膜，由于制备二氧化硅掩膜需要增加高温氧化炉，完成后进行选择性去除掩膜，高温氧化炉制备二氧化硅掩膜时间较长，并且对磷扩散效果的阻挡作用有限，影响二次扩散后硅片内高低结的浓度差，造成选择性发射极原理实现不完全。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对目前选择性发射极电池腐蚀扩散掩膜层法中二氧化硅掩膜的制备方法周期长，阻挡磷扩散的效果差的问题，提出一种选择性发射极电池片二氧化硅膜制作方法。本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现一种选择性发射极电池片掩膜的制备方法，其特征在于它包括以下步骤本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种选择性发射极电池片掩膜的制备方法，其特征在于它包括以下步骤：(1)将硅片完全浸没在有机硅凝胶溶液中，浸泡时间为5s；(2)取出步骤(1)浸泡过有机硅凝胶溶液的电池片晾干，晾干时间为1~3min；(3)将步骤(2)得到的电池片进行烘烤，即得到电池片掩膜。

【技术特征摘要】
1.一种选择性发射极电池片掩膜的制备方法，其特征在于它包括以下步骤 (1)将娃片完全浸没在有机娃凝胶溶液中，浸泡时间为5s； (2)取出步骤(I)浸泡过有机硅凝胶溶液的电池片晾干，晾干时间为f3min； (3)将步骤(2)得到的电池片进行烘烤，即得到电池片掩膜。2.根据权利要求I所述的选择性发射极电池片掩膜的制备方法，其特征在于步骤(3)的电池片放入烘烤炉中进行烘烤，烘烤温度5(T300°C，烘烤时间为3 8min。3.根据权利要求2所述的选择性发...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢春晖，黄仑，王金伟，史孟杰，崔梅兰，
申请(专利权)人：东方电气集团宜兴迈吉太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：