【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶体硅太阳能电池领域，尤其是一种主要利用激光制备超浅结晶体硅太阳能电池的方法。
技术介绍
太阳能作为一种清洁的、没有任何污染的能源，以及太阳能发电作为动力供应主要来源之一的可能性，已日益引起人们关注。而解决这个技术的关键在于太阳能电池生产成本的降低和转化效率的提高。对于占主流地位的晶体硅太阳能电池，由于其正表面电极占了表面积的20%，减少了太阳能电池的受光面积，从而减少了其转化效率。 专利号为200910235060. O的一种以激光制备超浅结于半导体基片表面的方法应用于晶体硅太阳能电池的制备上，可以形成光生载流子的产生率和收集率都较高的超浅结太阳能电池，提高其转化效率。然而，过浅的PN结在进行前电极制做时，容易发生电极金属向结区渗透，从而在禁带中引入杂质的风险。本技术方案致力于解决上述问题，以透明导电极薄膜代替前电极，并主要采用激光及镀膜完成本工艺方案的制做，从而不但完善了上述结构，同时也具有高的生产效率及低破片率。
技术实现思路
专利技术目的本专利技术所要解决的技术问题是针对激光在半导体基片上制备超浅结的技术，提供一种新型的超浅结晶体硅太阳能电池结构并同时...
【技术保护点】
一种新型超浅结晶体硅太阳能电池制法，主要包括激光制绒，激光掺杂，镀钝化膜及透明导电极，激光制背电极等，其特征在于，所述激光制绒包括激光制备绒面和化学溶液去除激光损伤层两个步骤，以制备出尺寸尽量精确符合光学原理的绒面结构；所述激光掺杂是在掺杂气体气氛下以激光照射晶体硅表面以形成超浅结；所述镀透明导电极是以真空镀透明导电极薄膜的方式形成前电极；所述激光制背电极包括真空镀背电极材料及激光烧结背电场工艺，以免接触的方式制备其背电场。
【技术特征摘要】
1.一种新型超浅结晶体硅太阳能电池制法，主要包括激光制绒，激光掺杂，镀钝化膜及透明导电极，激光制背电极等，其特征在于， 所述激光制绒包括激光制备绒面和化学溶液去除激光损伤层两个步骤，以制备出尺寸尽量精确符合光学原理的绒面结构； 所述激光掺杂是在掺杂气体气氛下以激光照射晶体硅表面以形成超浅结； 所述镀透明导电极是以真空镀透明导电极薄膜的方式形成前电极； 所述激光制背电极包括真空镀背电极材料及激光烧结背电场工艺，以免接触的方式制备其背电场。2.根据权利要求I所述的一种新型超浅结晶体硅太阳能电池，其特征在于，其激光制绒采用连续式绿激光器。3.根据权利要求I所述的一种新型超浅结晶体硅太阳能电池，其特征在于，去除工艺损伤层采用20%浓度的碱性溶液，在70-90°C下进行。4.根据权利要求I所述的一种新型超浅结晶体硅太阳能电池，其特征在于，若基片选用P型基片，工艺气体为5% -10%的PH3与H2混合气体，以强激光照射晶体硅基片受光面形成超浅结。5.根据权利要求4所述的一种新型超浅结晶体硅太阳能电池，其特征在于...
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