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本发明公开了一种新型超浅结晶体硅太阳能电池，其结构为前电极、钝化层、绒面结构、PN结、背电极，其中前电极设为透明导电极薄膜结构，其PN结设为超浅结，其背电极设为厚度在0.5-2.0μm之间的铝背电场。本发明同时提供了一种制法，其步骤主要包括...
该专利属于刘莹所有，仅供学习研究参考，未经过刘莹授权不得商用。

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