一种采用增氢钝化提高太阳能电池片转换效率的方法技术

技术编号:8272510 阅读:389 留言:0更新日期:2013-01-31 05:03
本发明专利技术涉及晶体硅太阳能的制造,具体的说是一种采用增氢钝化提高太阳能电池片转换效率的方法。通过微波在太阳能电池片上沉积氢化的氮化硅膜层作为转换效率的表面钝化层和减反射层。本发明专利技术在形成氮化硅膜层之前通入氢气,并将其电离,对电池片进行钝化,中和悬挂键之后通入前驱气体的混合物,形成具有合适折射率,质量密度,氢浓度的氮化硅层,该氮化硅层可以用作太阳能电池片上的减反射/钝化层。通过基本包含硅烷和氨气的混合物可以在太阳能电池片上形成氮化硅层。将多个电池片放在载板上,并且将载板传输进沉积腔室,以进一步提升产能。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶体硅太阳能的制造,具体的说是一种采用增氢钝化提高太阳能电池片转换效率的方法
技术介绍
太阳能电池是可以将太阳能直接转换成 电能的光电器件。最通用的太阳能电池材料是硅,以单晶或者多晶硅的形式存在。由于利用硅基太阳能电池的发电成本高于传统方法的发电成本,可以通过提高太阳能电池效率的方法降低发电成本。电池片包括基区,典型的为P型娃,发射区,典型的为N型硅P-N结区以及介电层。P-N结区布置在太阳能电池片的基区和发射区之间,并且当入射光激发产生电子空穴对。介电层作为太阳能电池片的减反射层,同样用作发射区表面的钝化层。当电子和空穴发生复合时,其中,电子和空穴运动方向相反,彼此复合。每次电子-空穴对在太阳能电池复合时,载流子消失,由此可以降低太阳能电池的效率。复合可以发生在电池片的本征硅内或者在电池片的表面上。在本征硅内,复合是由于缺陷的数量决定的。在电池片的表面上,复合由悬挂键的数量决定即存在于表面的未饱和悬挂键。因为电池片的硅晶格终止于电池片表面,所以悬挂键也位于电池片的表面。这些未饱和的化学键起着缺陷的作用,并位于硅的能带范围内,并因此成为电子空穴对的复合位置。通过减少表面复合本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种采用增氢钝化提高太阳能电池片转换效率的方法,其特征在于:通过微波在太阳能电池片上沉积氢化的氮化硅膜层作为转换效率的表面钝化层和减反射层。

【技术特征摘要】
1.一种采用增氢钝化提高太阳能电池片转换效率的方法,其特征在于通过微波在太阳能电池片上沉积氢化的氮化硅膜层作为转换效率的表面钝化层和减反射层。2.按权利要求I所述的采用增氢钝化提高太阳能电池片转换效率的方法,其特征在于将太阳能电池片置于工艺腔内,先通入100-4000sCCm的氢气作为钝化气体,通过微波产生等离子体,再通入100-5000sccm的NH3和200-2000sccm的SiH4作为前驱气体,利用微波将其...

【专利技术属性】
技术研发人员:张振厚赵崇凌李士军张健张冬洪克超徐宝利钟福强陆涛许新王刚刘兴郭玉飞王学敏李松赵科新
申请(专利权)人:中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司
类型:发明
国别省市:

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