半导体层的氢钝化方法技术

本发明专利技术涉及用于半导体层的氢钝化的方法，其中所述钝化通过使用电弧等离子体源进行，涉及根据该方法制备的钝化的半导体层及其用途。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：P·施特纳，S·韦伯，M·克勒，M·帕茨，R·卡里乌斯，T·布龙格，
申请(专利权)人：赢创德固赛有限公司，
类型：
国别省市：